江苏省电力公司电力科学研究院

检测项：存储转发速率 检测样品：继电保护和安全自动装置动模试验 标准：GB/T 14285-2006 《继电保护和安全自动装置技术规程》 GB/T 7261-2008 《继电器及继电保护装置基本试验方法》 GB/T 15145-2008 《微机线路保护装置通用技术条件》 DL/T 995-2006 《继电保护和电网安全自动装

检测项：三相电压不平衡度测量及评估 检测样品：电能质量 标准：GB/T 15543－2008 《电能质量三相电压不平衡》

检测项：电压波动和闪变测量及评估 检测样品：电能质量 标准：GB/T 12326－2008 《电能质量电压波动和闪变》

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

合肥航太电物理技术有限公司飞行器雷电防护实验室

检测项：高温试验 检测样品：飞机设备及部件 标准：RTCA/DO-160G机载设备的环境条件和测试程序2010年版

检测项：低温试验 检测样品：飞机设备及部件 标准：RTCA/DO-160G《机载设备的环境条件和测试程序》2010年版

检测项：结构（方向舵及其他位于区域1或2的部件）的直接效应试验 检测样品：飞机及部件 标准：GJB 3567-99《军用飞机雷电防护鉴定试验方法》

机构所在地：安徽省合肥市 更多相关信息>>

深圳市巴伦检测技术有限公司

检测项：能耗 检测样品：数据中心存储设备 标准：能源之星数据中心存储设备 1.0版 能源之星数据中心存储设品测试方法,Rev. Aug 2013

检测项：存储拨号呼叫 检测样品：蓝牙设备 标准：蓝牙特别工作组(SIG) 免提配置文件测试规范 测试套件结构(TSS)和测试目的(TP) HFP.TS.1.6.4(2013)

检测项：极性 检测样品：电动自行车用蓄电池及充电器 标准：电动自行车用蓄电池及充电器 第3部分：锂离子蓄电池及充电器 QB/T 2947.3:2008

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

深圳电气科学研究所（深圳电气科学研究所中心实验室/深圳电气产品质量检测中心）

检测项：部分项目 检测样品：多费率电度表 标准：GB/T 15284-2002 多费率电度表 特殊要求

检测项：部分项目 检测样品：费率和负载控制用电子式纹波控制接收机 标准：GB/T 17884-1999 费率和负载控制用电子式纹波控制接收机 IEC 61037:1990

检测项：部分项目 检测样品：多费率电度表 标准：多费率电度表 特殊要求 GB/T 15284-2002

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

国网重庆市电力公司电力科学研究院

检测项：影响量 检测样品：机电式电能表 标准：交流电测量设备通用要求、试验和试验条件第11部分:机电式有功电能表（0.5、1和2级） GB/T 17215.311-2008

检测项：直流耐压及泄漏电流 检测样品：交流金属氧化物避雷器 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准GB 50150-2006 交流无间隙金属氧化物避雷器 GB11032-2010

检测项：交流耐压 检测样品：电容器 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准GB 50150-2006

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

华东电子测量仪器研究所电子仪器产品质量检验中心

检测项：性能特性 检测样品：数字存储 示波器 标准：数字存储示波器通用技术条件和测试方法GB/T 15289-1994

检测项：性能测试 检测样品：数字存储 示波器 标准：数字存储示波器通用技术条件和测试方法GB/T 15289-1994

机构所在地：安徽省蚌埠市 更多相关信息>>

珠海出入境检验检疫局检验检疫技术中心

检测项：自由跌落试验 检测样品：移动存储闪存盘 标准：信息技术 移动存储闪存盘通用规范 GB/T 26225-2010

检测项：冲击试验 检测样品：移动存储闪存盘 标准：信息技术 移动存储闪存盘通用规范 GB/T 26225-2010

检测项：湿热试验 检测样品：移动存储闪存盘 标准：信息技术 移动存储闪存盘通用规范 GB/T 26225-2010

机构所在地：广东省珠海市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：存储器 标准：《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996

检测项：温度冲击试验 检测样品：电子及电气元件 标准：《电子及电气元件试验方法》GJB360B-2009

检测项：温度冲击试验 检测样品：电子及电气元件 标准：《电磁辐射暴露限值和测量方法》 GJB5313-2004

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：采样-保持失调电压VOS 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：半导体集成电路MOS随机存储器 标准：SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：静态参数 检测样品：MOS随机存储器 标准：半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

检测项：动态参数 检测样品：MOS随机存储器 标准：半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

检测项：静态参数 检测样品：双极性随机存储器 标准：半导体集成电路双极型随机存储器器测试方法的基本原理 SJ/T 10740-1996

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>