上海材料研究所机械工业无损检测中心

检测项：超声探伤仪电噪声电平 检测样品：无损检测器材 标准：无损检测仪器 电磁轭磁粉探伤仪技术条件JB/T 7411-2012

检测项：超声探伤仪电噪声电平 检测样品：无损检测器材 标准：无损检测 A型脉冲反射式超声波探伤系统工作性能测试方法JB/T 9214-2010 A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件JB/T 10061-1999

检测项：超声探伤仪电噪声电平 检测样品：无损检测器材 标准：无损检测 A型脉冲反射式超声波探伤系统工作性能测试方法JB/T 9214-2010 A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件JB/T 10061-1999

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：输出高电平电压 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输入高电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3022

检测项：输出低电平电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G 方法3006.1

检测项：输入高电平电流 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法3007.1

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

中国第一汽车股份有限公司检测服务中心

检测项：热效率 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199

检测项：能源利用率 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199

检测项：用电量 检测样品：企业电平衡 标准：《评价企业合理用电技术导则》 GB/T 3485-199

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输出逻辑电压电平 检测样品：电磁继电器 标准：GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范

检测项：输出逻辑电压电平 检测样品：电磁继电器 标准：GJB 1042A-2002 电磁继电器通用规范

检测项：输出高电平电压 检测样品：数字集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17574-1998 半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

贵州振华群英电器有限公司试验检测中心

检测项：低电平负载切换寿命试验 检测样品：电子及电气元件 标准：《微电子器件试验方法》 GJB548B-2005

检测项：低电平 检测样品：塑封电磁继电器 标准：《塑封通用电磁继电器总规范》 GJB2449-1995

检测项：低电平 检测样品：混合和固体延时继电器 标准：《混合和固体延时继电器总规范》 GJB1513A-2009

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

西京电气总公司西京检测试验中心

检测项：电晕电平 检测样品：射频同轴连接器转接器 标准：GJB681A-2002 《射频同轴连接器通用规范》4.5.20条

检测项：电晕电平 检测样品：射频电缆组件 标准：GJB680A-2009 《射频同轴连接器总规范》4.5.21条GJB360B-2009 《 电子及电气元器件试验方法》

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：激励电平相关性(DLD) 检测样品：谐振器 标准：石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第1部分-总规范 GB/T 12273-1996

检测项：激励电平相关性(DLD) 检测样品：谐振器 标准：石英晶体元件 电子元器件质量评定体系规范 第1部分-总规范GB/T 12273-1996 元器件引线、端子、焊片、接线柱和导线的可焊性测试 IPC/ECA J-STD-002C

检测项：SEM&EDS 检测样品：光发送/接收组件 标准：军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：输出高电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输出低电平电压 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

检测项：输入高电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：输入低电平电压VIL 检测样品：数字集成电路 标准：GB/T 17574-1998半导体器件集成电路 第2部分 数字集成电路

检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

检测项：输出低电平电压VOL 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>