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防散射滤线栅产品描述:通常由铅条、介质等组成。放置于影像接收面之前,以减少辐射到影像接收面上的散射辐射,从而改善X射线影像对比度的一种装置。 防散射滤线栅预期用途:配合X射线机使用,用于增加X射线影像的对比度。 防散射滤线栅品名举例:防散射滤线栅、乳腺防散射滤线栅 防散射滤线栅管理类别:Ⅱ 防散射滤线栅相关指导原则: 1、含儿科应用...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月14日
检测项:栅源阈值电压 检测样品:场效应管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:栅源阈值电压 检测样品:二极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:击穿电压 检测样品:晶体谐振器 标准:GJB 2138-1994 石英晶体元件总规范
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:栅-源截止电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
检测项:栅-源阈值电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压,发射极-基极击穿电压 检测样品:整流二极管 标准:GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:栅源阈值电压VGS(th) 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994半导体器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:反向击穿电压V(BR) 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR) CBO 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:击穿电压 检测样品:绝缘油 标准:绝缘油 击穿电压测定法 GB/T507-2002
检测项:检查相位 检测样品:绝缘油 标准:绝缘油 击穿电压测定法 GB/T507-2002
检测项:冲击合闸 试验 检测样品:绝缘油 标准:绝缘油 击穿电压测定法 GB/T507-2002
检测项:击穿电压 检测样品:绝缘油 标准:GB/T 507-2008 绝缘油 击穿电压测定法
检测项:击穿电压 检测样品:绝缘油 标准:GB/T 507-2002 《绝缘油介电强度测定方法》
检测项:部分参数 检测样品:微机35kV电容器保护装置 标准:GB/Z11024.3-2001 标称电压1kV以上交流电力系统用并联电容器第3部分:并联电容器和并联电容器组的保护
检测项:栅-源截止电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:击穿电压 检测样品:液体燃料、润滑剂及其他各种石油产品 标准:绝缘油击穿击穿电压测定法 GB/T 507-2002
检测项:击穿电压 检测样品:液体燃料、润滑剂及其他各种石油产品 标准:绝缘油库仑法水份自动滴定法IEC 60814:1997
检测项:介质损耗因素 检测样品:液体燃料、润滑剂及其他各种石油产品 标准:绝缘油击穿电压测定法IEC 60156:1995
检测项:栅-源截止电压VGSoff 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
检测项:栅-源阈值电压VGS(to) 检测样品:场效应晶体管 标准:1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分:场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:栅源阈值电压(VGS(th)) 检测样品:场效应管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:漏源击穿电压(BVDSS) 检测样品:光电 耦合器 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分
检测项:反向击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:交流电压 检测样品:击穿电压试验仪 标准:CEST/CAL/GF109-2008击穿电压试验仪检测规范JB/T4279.11-2008漆包绕组线试验仪器设备检定方法第11部分 击穿电压试验仪
检测项:交流电流 检测样品:击穿电压试验仪 标准:击穿电压试验仪检测规范
检测项:电压 检测样品:软化击穿试验仪 标准:CEST/CAL/GF096-2008软化击穿试验仪检测规范JB/T4279.8-2008漆包绕组线试验仪器设备检定方法第8部分:软化击穿试验仪
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>