成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：输出高电平 电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：输出低电平 电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：输出高电平 电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

华南国家计量测试中心/广东省计量科学研究院

检测项：最高输出电平 检测样品：电子式电能表 标准：GB/T 17215.321-2008交流电测量设备 特殊要求 第21部分: 静止式有功电能表 (1级和2级) GB/T 17215.322-2008 交流电测量设备 特殊要求 第22部分: 静止式有功电能表(0.2S级和0.5S级) GB/T 172

检测项：最高输出电平 检测样品：电子式电能表 标准：GB/T 17215.321-2008交流电测量设备 特殊要求 第21部分: 静止式有功电能表 (1级和2级) GB/T 17215.322-2008 交流电测量设备 特殊要求 第22部分: 静止式有功电能表(0.2S级和0.5S级) GB/T 172

检测项：关闭状态能耗 检测样品：电源 标准：GB 20943-2007 单路输出式交流-直流和交流-交流外部电源能效限定值及节能评价值.

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

深圳天祥质量技术服务有限公司科技园经营部

检测项：发射载波输出电平 检测样品：SRD短距离发射设备 标准：电磁兼容性和无线电频谱物质.短程装置(SRD).频率范围:9KHZ～25MHZ和频率范围的无线电设备和频率范围:9HZ～30MHZ的感应县全系统.第2部分:根据R&TTE指令3.2条款协调的欧洲标准 ETSI EN 300 330-2 V1.5.1 （20

检测项：发射机输出功率 检测样品：无线电设备 标准：射频通讯设备的射频暴露符合性 RSS 102 issue 4: 2010-03

检测项：输出功率 检测样品：电子电气设备 标准：公共移动服务 FCC Part22:2012

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

快特电波科技(苏州)有限公司检测中心

检测项：发射机载波输出电平 检测样品：无线通讯设备 标准：电磁兼容性和无线频谱(ERM):短距离设备(SRD)工作在9kHz到25kHZ频率范围内的无线设备和工作在9kHz到30MHz频率范围内的感应回路系统;第1部分:技术特性和测试方法 ETSI EN 300 330-1 V1.7.1 (2010-

检测项：发射机载波输出电平 检测样品：无线通讯设备 标准：电磁兼容性和无线频谱(ERM):短距离设备(SRD)工作在9kHz到25kHZ频率范围内的无线设备和工作在9kHz到30MHz频率范围内的感应回路系统;第1部分:技术特性和测试方法 ETSI EN 300 330-1 V1.7.1 (2010-

检测项：输出功率 检测样品：无线通讯设备 标准：行动通讯设备 FCC Part 22:2011 FCC Part 24:201

机构所在地：江苏省苏州市 更多相关信息>>

东莞辰达电器有限公司测试中心

检测项：标称 检测样品： 标准：

检测项：标称 检测样品： 标准：

检测项：输入输出反转试验 检测样品：器具漏电断路器 标准：器具漏电断路器 UL943B:2011

机构所在地：广东省东莞市 更多相关信息>>

北京市产品质量监督检验院

检测项：标称力和动态摩擦力 检测样品： 标准：

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出高电平 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：低到高电平输出的传输延迟时间 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

东北电力科学研究院有限公司

检测项：湿工频电压试验 检测样品：绝缘子类 （瓷） 标准：标称电压高于1000V的架空线路绝缘子 第1部分：交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件—-定义、试验方法和判定准则 GB/T 1001.1-2003 标称电压高于1000V的架空线路绝缘子串工频电弧试验方法 DL/T 812-2002 标称电压高于1000V

检测项：击穿耐受试验 检测样品：绝缘子类 （瓷） 标准：标称电压高于1000V的架空线路绝缘子 第1部分：交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件—-定义、试验方法和判定准则 GB/T 1001.1-2003 标称电压高于1000V的架空线路绝缘子串工频电弧试验方法 DL/T 812-2002 标称电压高于1000V

检测项：逐个电压试验 检测样品：绝缘子类 （瓷） 标准：标称电压高于1000V的架空线路绝缘子 第1部分：交流系统用瓷或玻璃绝缘子元件—-定义、试验方法和判定准则 GB/T 1001.1-2003 标称电压高于1000V的架空线路绝缘子串工频电弧试验方法 DL/T 812-2002 标称电压高于1000V

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

上海市防伪技术产品测评中心

检测项：卡的标称尺寸 检测样品：防伪卡 标准：GB/T 14916-2006 识别卡 物理特性

检测项：卡的标称尺寸 检测样品：防伪卡 标准：GB/T 14916-2006 识别卡 物理特性

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

北京通和实益电信科学技术研究所有限公司威尔克通信实验室

检测项：标称导体直径 检测样品： 标准：

检测项：电声效率 检测样品：CDMA数字移动电话机 标准：YD/T1884-2009信息终端设备声压输出限值要求和测试方法

检测项：电声效率 检测样品：双模数字移动电话机 标准：YD/T 1884-2009信息终端设备声压输出限值要求和测量方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>