中国科学院长春光学精密机械与物理研究所质检中心

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：反向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

广东省电子电器产品监督检验所

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管 标准：半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

检测项：正向峰值电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023-1997

检测项：共发射极正向电流传输比静态值 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：广东省广州市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：正向电压VF 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：正向跨导Gfs 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：门极正向峰值功率/峰值电流/峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极触发电流/电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极不触发电压/电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VF-正向电压 检测样品：整流二极管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 IEC 60747-2(第二版 2000-03)

检测项：VFM: 正向峰值電壓 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验 检测样品：电子电气设备 标准：GB/T 17626.11-2008 IEC 61000-4-11:2004 EN61000-4-11:2004 电磁兼容试验和测量技术 电压暂降,短时中断和电压变化的抗扰度试验

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

检测项：输入失调电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

国家激光器件质量监督检验中心

检测项：正向电压 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：正向电流 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：光功率-正向电流特性 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司电子科学研究院系统电磁效能测试评估中心

检测项：电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度 检测样品：民用电子、电气和机电设备 标准：⑧ GB/T25119-2010 轨道交通 机车车辆电子装置 ⑨ GB/T24338.4-2009 轨道交通电磁兼容第3-2部分:机车车辆设备 ⑩ GB/T24338.5-2009 轨道交通电磁兼容

检测项：电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测样品：民用电子、电气和机电设备 标准：⑧ GB/T25119-2010 轨道交通 机车车辆电子装置 ⑨ GB/T24338.4-2009 轨道交通电磁兼容第3-2部分:机车车辆设备 ⑩ GB/T24338.5-2009 轨道交通电磁兼容

检测项：电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测样品：民用电子、电气和机电设备 标准：⑬ GB/T 24338.5-2009 轨道交通电磁兼容第4部分:信号和通信设备的发射与抗扰度 ⑭ GB/T 24338.6-2009 轨道交通电磁兼容第5部分:地面供电装置和设备的发射与抗扰度

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>