上海精密计量测试研究所

检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏－源击穿 电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：栅－源电压为零时的漏极电流（IDSS） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：漏源击穿电压 V（BR）DSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源击穿电压 V（BR）GSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：栅-源击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：栅-源短路时的漏极电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：漏源击穿电压（BVDSS） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：漏源通态电压（VDS(on)） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：反向击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>