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检测项:击穿电压 检测样品:油品 标准:GB/T 507-2002(2004) 绝缘油击穿电压测定法
检测机构:北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>
检测项:磺胺嘧啶(SDZ) 检测样品:动物源性食品 标准:动物源性食品中磺胺类药物残留量的测定 高效液相色谱-质谱质谱法,GB/T 21316-2007
检测机构:中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>
检测项:耐直流电压 检测样品:换位导线 标准:JB/T 6758.1-2007《换位导线 第1部分:一般规定》
检测机构:国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>
检测项:干固体绝缘材料耐电弧 检测样品:复合材料 标准:GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》
检测机构:玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>
检测项:漏-源通态电压(饱和电压)VDS(ON) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:3407 漏-源击穿电压 检测样品:电子及电气元件 标准:GJB 360B-2009《电子及电气元件试验方法》
检测项:栅-源电压为零时的漏极电流(IDSS) 检测样品:场效应晶 体管 标准:GB/T 4586-94《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:静态漏-源通态电压 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:漏-源击穿电压 检测样品:场效应 晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:漏源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:晶体振荡器 标准:《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项:截止态漏极漏电流ID 检测样品:V/F、F/V转换器 标准:《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
检测项:漏源极截止电流IDSS 检测样品:晶体振荡器 标准:《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品:半导体集成电路时基电路 标准:GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项:截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品:电压基准 标准:SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:漏源击穿电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
检测项:截止态漏极漏电流 检测样品:电压比较器 标准:半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
检测项:漏源通态电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
检测项:漏-源通态电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:漏-源击穿 电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项:漏-源通态电流 检测样品:晶闸管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>