A/D转换器中信噪失真比的检测

检测项：信噪失真比 检测样品：A/D转换器 标准：集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理SJ20961-2006

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

导体及金属材料试验方法中节径比的检测

检测项：节径比 检测样品：导体及金属材料试验方法 标准：AS 3822:2002《架空裸导体试验方法》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

食品中脱乙酰比沙可啶的检测

检测项：脱乙酰比沙可啶 检测样品：食品 标准：BJS202209 食品中双醋酚丁等19种化合物的测定

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：电流传输比 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器直流电流传输比的测试方法 SJ2215.10-1982

检测项：C、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：E、B截止电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：电流传输比 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.10-1982

检测项：50Hz~100kHz 壳体电流传导敏感度 CS109 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量

检测项：50Hz～100kHz环流传导敏感度 CS09 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：舰船电磁兼容性要求 HJB 34A-2007

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：共摸抑制比KCMR 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器 标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

检测项：分压比η 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：接触卡电信号和传输协议 检测样品：IC卡 标准：GB/T 16649.3-2006 识别卡 带触点的集成电路卡 第3部分：电信号和传输协议 ISO/IEC 7816-3:2006（E） 识别卡-带触点的集成电路卡-第三部分：电信号和传输协议

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>