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无菌负压吸引装置产品描述: 通常由器身、弹簧、调节器组、连接接头、连接管、止流夹、护帽、引流袋、负压泵或手动负压源(负压球)组成。无菌提供。不包括插入体内的引流导管。 无菌负压吸引装置预期用途: 用于临床负压引流时,与插入体内的引流导管相连接,起到充当负压传导介质和/或引导、收集引流液的作用。 无菌负压吸引装置品名举例: 无菌负压吸引装置、无菌高负压引流瓶、无菌...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月12日
检测项:距高比 检测样品:LED筒灯 标准:1、GB/T 29293-2012 LED筒灯性能测量方法 2、GB/T 29294-2012 LED筒灯 性能要求
检测项:随机振动 检测样品:电子元器件及设备 机械性能试验 标准:7、GB/T 2423.12-1997 电工电子产品环境试验 第2部分 试验方法 试验Fda:宽频带随机振动--高再现性
检测项:电容量C 检测样品:固定电容器 标准:1、GJB 4157-2001 高可靠瓷介固定电容器总规范 2、GB/T 2693-2001 电子设备用固定电容器 第1部分 总规范 3、GJB 192A-1998 有可靠性指标的无包封多层片式瓷介电容器总规范
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:电机的机械振动测量 检测样品:电机类 标准:轴中心高为56mm及以上电机的机械振动 振动的测量、评定及限值GB 10068-2008
检测项:金相 检测样品:汽车发动机配件 标准:内燃机 气缸套 第2部分: 高磷铸铁金相检验 JB/T 5082.2-2011
检测项:全部参数 检测样品:接头、管环箍、挡圈、垫片等 标准:高碳铬轴承钢滚动轴承零件热处理技术条件JB/T1255-2001
机构所在地:山东省烟台市 更多相关信息>>
检测项:全部项目 检测样品:接地带灯 标准:民用机灯具技术条件 高光强立式下滑灯 QB/T 3743-1999
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:氢致开裂 检测样品:金属与合金 标准:《锻制高镍铬轴承合金晶间腐蚀敏感度试验方法》ASTM G 28-02(2008)
检测项:硅(Si) 检测样品:金属与合金 标准:《钢铁及合金化学分析方法 高 碘酸钠(钾)光度法测定锰量》 GB/T 223.63-1988
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:钢铁及合金中锰的测定 检测样品:钢铁及合金材料 标准:《钢铁及合金化学分析方法 高碘酸钠(钾)光度法测定锰量》 GB/T223.63–1988
检测项:铝及铝合金中锌的测定 检测样品:铝及铝合金材料 标准:《铝及铝合金化学分析方法 高碘酸钾分光光度法测定锰含量》 ISO 886:1973
检测项:铝及铝合金中锰的测定 检测样品:铝及铝合金材料 标准:《铝及铝合金化学分析方法 第7部分:锰含量的测定 高碘酸钾分光光度法》 GB/T 20975.7-2008
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:条高 检测样品: 标准:商品条码 条码符号印刷质量的检验GB/T 18348-2008
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:高温高湿工作测试 检测样品:以太网交换机 标准:以太网交换机技术要求 YD/T 1099-2005
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:质 量* 检测样品:贵金属首饰 及 贵金属制品 标准:高纯金化学分析方法 第3部分:乙醚萃取分离ICP-AES法 测定杂质元素的含量 GB/T 25934.3-2010
检测项:贵金属 含量*,** 检测样品:贵金属材料 标准:高纯金化学分析方法 第1部分:乙酸乙脂萃取分离ICP-AES法 测定杂质元素的含量 GB/T 25934.1-2010
检测项:贵金属 含量*,** 检测样品:贵金属材料 标准:高纯金化学分析方法 第3部分:乙醚萃取分离ICP-AES法 测定杂质元素的含量 GB/T 25934.3-2010
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项:输出高阻态时低电平电流IOZL 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项:输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品:半导体集成电路CMOS电路 标准:SJ/T10741-2000 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项:化学需氧量 检测样品:地表水、地下水、废水、海水、大气降水 标准:高氯废水化学需氧量的测定 氯气校正法 HJ/T70-2001
机构所在地:辽宁省大连市 更多相关信息>>