极压锂基润滑脂中部分参数的检测

检测项：部分参数 检测样品：极压锂基润滑脂 标准：GB/T 7323-2008 极压锂基润滑脂

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

电压比较器中输入失调电压的检测

检测项：输入失调电压 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T 6798-1996

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

换位导线中耐直流电压的检测

检测项：耐直流电压 检测样品：换位导线 标准：JB/T 6758.1-2007《换位导线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

门、窗用玻璃纤维增强塑料拉挤中空型材中全部项目的检测

检测项：全部项目 检测样品：门、窗用玻璃纤维增强塑料拉挤中空型材 标准：JC/T941-2004《门、窗用玻璃纤维增强塑料拉挤中空型材》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：门极触发电流和（或）电压（IGT、VGT） 检测样品：运算放大器 标准：GB/T17940-2000 《半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路》

检测项：正向电压（VF） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：工作电压（VZ） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：控制极触发电压的最大值VGT 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：控制极触发电压的最大值VGT 检测样品：半导体分立器件外壳 标准：1、GJB 923A-2004 半导体分立器件外壳通用规范 2、SJ 20129-1992 金属镀覆层厚度测量方法 3、GB/T 16526-1996 封装引线间电容和引线负载电容测试方法

检测项：控制极触发电流的最大值IGT 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：门极触发电压 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：触发电压 检测样品：模拟开关 标准：半导体集成电路模拟开关测试方法 的基本原理 GB/T 14028-1992

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：门极触发电压Vgt 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

检测项：门极触发电流Igt 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向击穿电压V(BR) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：门极触发电流/电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极不触发电压/电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极反向峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>