防孤岛效应检测实验

防冲击眼护具

简介

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防冲击眼护具

简介

防冲击眼护具检验规则

序号	检验项目	检验依据标准及条款	检验方法
1	可见光透射比	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.6.3	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.1.3
2	抗冲击性能	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.7	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.2
3	耐热性能	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.8	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.3
4	有机镜片表面耐磨性能	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.10	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.5
5	防高速粒子冲击性能	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.11	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.6
6	化学雾滴防护性能	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第5.12	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第6.8
7	标识	GB 14866-2006个人用眼护具技术要求第7.2	检查

收起百科↑ 最近更新：2018年12月10日

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浙江省检验检疫科学技术研究院（浙江出入境检验检疫局检验检疫技术中心、浙江立德产品技术有限公司）

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008

检测项：毛细效应检测样品：纺织品标准：机织物测试方法 - 厚度 JIS L 1096-1999 章节 8.5

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中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：S参数检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：电压驻波比检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

检测项：特征频率fT 检测样品：场效应晶体管标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件

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上海精密计量测试研究所

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

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中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：密封性检查检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：外部目检检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

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深圳市疾病预防控制中心

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：转基因生物检测标准：农业转基因生物食用安全性检验第5部分非期望效应检验（DB440300/T32.5-2007）

检测项：农业转基因生物非期望效应检验和等级评价检测样品：洁净室标准：农业转基因生物食用安全性要求和评价（SZJG 23-2006）

机构所在地：广东省深圳市更多相关信息>>

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：hFE:共发射接法时静态电流放大系数检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

检测项：V(BR)DS*:崩潰電壓检测样品：场效应晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

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中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：发射极—基极击穿电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极—发射极维持电压检测样品：场效应管标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

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陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：放大倍数（hFEL）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）检测样品：场效应管标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市更多相关信息>>

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：漏极电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：漏极截止电流检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：栅-源截止电压检测样品：场效应晶体管标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

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