中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：电流传输比 检测样品：光耦合器 标准：（2）半导体器件光电子器件分规范 GB 12565-1990

检测项：电流传输比 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理GB/T 4377-1996

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：固定电感器 标准：电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

国家高电压计量站

检测项：短时电流试验 检测样品：电子式电流互感器（传感器） 标准：《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》GB/T20840.8-2007 《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》IEC60044-8：2002

检测项：电磁兼容发射试验 检测样品：电子式电流互感器（传感器） 标准：《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》 GB/T20840.8-2007 《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》 IEC60044-8：2002

检测项：电磁兼容抗干扰度 试验 检测样品：电子式电流互感器（传感器） 标准：《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》 GB/T20840.8-2007 《互感器 第8部分: 电子式电流互感器》 IEC60044-8：2002

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性 GB/T 15651.2-2003

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：电子和通信设备用表变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 》

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：电流传输比 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：50Hz～100kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》 GJB151A-1997 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》GJB152A-1997 《军用空调设备通用规范》 GJB1913A-2006 《航天系统电磁兼容

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：截止态源级漏电流 IS（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：直流电流功能准确度 检测样品：数字多用表校准仪 标准：数字多用表校准仪通用技术条件BG/T15637-1995

检测项：浪涌（冲击）抗扰度 检测样品：电子和电气产品、信息设备及军用设备 标准：电磁兼容 试验和测量技术 浪涌（冲击）抗扰度试验GB/T17626.5-2008 / IEC-61000-4-5：2005

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：输入负载电流ILI 检测样品：TTL电路 标准：《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值h21E 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：双极型晶体管 标准：1、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管 2、GJB 2650-1996 微波元器件性能测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：电流传输比 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997

检测项：电流调整率和电流稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T4377-1996

检测项：备用消耗电流和备用消耗电流变化 检测样品：半导体集成电路模拟乘法器 标准：半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理　 GB/T14029-1992

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>