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检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1~2215.14-1982
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:CMOS电路 标准:半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
机构所在地:四川省成都市
机构所在地:河南省洛阳市
检测项:电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测样品:电气和电子设备 标准:GB/T 17626.4-2008 电磁兼容试验和测量技术—电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
检测项:浪涌(冲击)抗扰度 检测样品:电气和电子设备 标准:GB/T 17626.5-2008 电磁兼容试验和测量技术—浪涌(冲击)抗扰度试验
机构所在地:陕西省西安市
机构所在地:天津市
机构所在地:北京市
机构所在地:北京市
机构所在地:四川省绵阳市
机构所在地:四川省成都市
检测项:电磁辐射骚扰 检测样品:电气照明及类似设备 标准:电气照明和类似设备的无线电骚扰特性的限值和测量方法 GB17743-2007
机构所在地:山西省太原市
检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分 SJ 2215-8
检测项:输出高电平时电源电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市