北京无线电计量测试研究所

检测项：壳体电流传导敏感度(CS09) 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997

检测项：壳体电流传导敏感度(CS109) 检测样品：电子和电气产品、信息设备、军用设备 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-1997 设备和分系统电磁干扰特性

检测项：驻波比 检测样品：电流探头校准夹具 标准：电流探头校准夹具驻波比测量方法 Q/Fx537-2004

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所电磁兼容实验室

检测项：50Hz-100 kHz壳体电流传导敏感度 CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：只测交流设备

检测项：50Hz-100 kHz壳体电流传导敏感度CS109 检测样品：军用设备和分系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量 GJB152A-1997 设备和分系统电磁干扰特性控制要求

检测项：谐波电流 检测样品：电子、电气产品 标准：低压电气及电子设备发出的谐波电流限值（设备每项输入电流≤16A） GB17625.1-2003

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

中国舰船研究设计中心检测校准实验室

检测项：50Hz～100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：《舰船电磁兼容性要求》 HJB 34A-2007

检测项：50Hz~100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：①GJB152-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 ②GJB151-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》

检测项：50Hz~100kHz壳体电流传导敏感度CS09 检测样品：军用设备和分系统 标准：①GJB152-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 ②GJB151-86《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：电流传输比hF(ctr) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

检测项：正向电流传输比hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：电流传输比 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.10-1982

检测项：50Hz~100kHz 壳体电流传导敏感度 CS109 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求 GJB151A-1997 军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量

检测项：50Hz～100kHz环流传导敏感度 CS09 检测样品：军用设备、分系统和系统 标准：舰船电磁兼容性要求 HJB 34A-2007

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：共发射极静态电流传输比HFE 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

检测项：模拟输入电流AI 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器 标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

检测项：基准输入电流IRI 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器 标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

北京尊冠科技有限公司

检测项：电流传输比CTR 检测样品：晶闸管 标准：GB/T15291－94《半导体器件 第6部分 晶闸管》

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值（h21E） 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：全项目 检测样品：电子产品接触电流 标准：GB/T 12113-2003 接触电流和保护导体电流的测量方法 IEC 60990:1999 接触电流和保护导体电流的测量方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：电流传输比hF (ctr) 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向截止电流ICEO 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：共发射极正向电流传输比的静态值 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

检测项：输入低电平电流IIL 检测样品：半导体集成 电路 (CMOS) 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000

机构所在地：北京市 更多相关信息>>