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检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范
检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范
检测项：通态直流电压Vt 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：漏源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：漏--源通态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项：截止态漏级漏电流ID（off） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
检测项：导通态漏电流IDS（on ） 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-199
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：漏源通态电压（VDS(on)） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分
检测项：漏源通态电阻（rDS(on)） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项：漏源击穿电压（BVDSS） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：漏-源通态电阻RDSon 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件
检测项：通态峰值电压VTM 检测样品：闸流晶体管 标准：GB/T 15291-1994 半导体器件 第6部分：晶闸管
机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：导通态漏电流 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
检测项：截止态馈通频率 检测样品：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器 标准：半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 GB/T14114-1993
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：漏--源断态电阻RDSon 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》
检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》
检测项：漏-源击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项：输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品：半导体集成 电路 (TTL) 标准：半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996
检测项：栅-源截止电压 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994
检测项：栅源短路时的漏极电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项：导通态漏电流IDS(on) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994
检测项：交流电流源与交流电压源同步性检验 检测样品：继电保护测试仪 标准：《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
检测项：交流电压源技术性能检验 检测样品：继电保护测试仪 标准：《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
检测项：交流电流源技术性能检验 检测样品：继电保护测试仪 标准：《继电保护微机型试验装置技术条件》 DL/T 624-2010 《静态继电保护及安全自动装置通用技术条件》 DL 478-2010
机构所在地：内蒙古自治区呼和浩特市 更多相关信息>>
