北京尊冠科技有限公司

检测项：漏－源通态电压（饱和电压）VDS(ON) 检测样品：场效应晶 体管 标准：GB/T 4586－94《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》

检测项：漏－源通态电阻rDS(ON) 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：静态漏-源通态电阻RDS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏源击穿电压 V（BR）DSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：功能 检测样品：模拟开关 标准：半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992 半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000；

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：静态漏—源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：模拟集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范 GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994半导体分立器件分立器件第8部分场效应晶体管

检测项：通态电压 检测样品：闸流晶体管 标准：SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第６部分：闸流晶体管

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电压调整器 标准：GB/T 4377-1996半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：漏-源通态电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：漏源通态电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：电压比较器、运算放大器 标准：《半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理》GB/T6798-1996 《半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路》GB/T17940-2000

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：漏-源通态电压 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

检测项：漏-源通态电阻 检测样品：半导体集成电路TTL电路 标准：GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：漏-源击穿电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：漏源通态电压VDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：漏源通态电阻RDSon 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

检测项：通态直流电压Vt 检测样品：半导体集成电路（运算放大器） 标准：1.SJ/T10738-1996半导体集成电路 运算（电压）放大器测试方法的基本原理 2.GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 3.GB/T 16464-1996半导体器件

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：漏源通态电阻 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994

检测项：截止态漏极漏电流 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>