场效应管中漏--源断态电阻RDSon的检测

检测项：漏--源断态电阻RDSon 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

模型产品中静态模型稳定性的检测

检测项：静态模型稳定性 检测样品：模型产品 标准：GB/T 26701-2011

检测机构：深圳市英柏检测技术有限公司 更多相关信息>>

油品中击穿电压的检测

检测项：击穿电压 检测样品：油品 标准：GB/T 507-2002(2004) 绝缘油击穿电压测定法

检测机构：北京优测科技发展有限公司 更多相关信息>>

饮料、饮品中氨基酸态氮（氨基态氮）的检测

检测项：氨基酸态氮（氨基态氮） 检测样品：饮料、饮品 标准：饮料通用分析方法,GB/T 12143-2008/5(甲醛值法）

检测机构：中国航天科技集团公司检测中心 更多相关信息>>

换位导线中耐直流电压的检测

检测项：耐直流电压 检测样品：换位导线 标准：JB/T 6758.1-2007《换位导线 第1部分：一般规定》

检测机构：国家电线电缆质量监督检验中心 更多相关信息>>

复合材料中干固体绝缘材料耐电弧的检测

检测项：干固体绝缘材料耐电弧 检测样品：复合材料 标准：GB/T1411-2002/IEC61621:1997《干固体绝缘材料 耐高电压、小电流电弧放电的试验》

检测机构：玻璃钢制品质量检验中心 更多相关信息>>

信息技术设备中电压波动和闪烁的检测

检测项：电压波动和闪烁 检测样品：信息技术设备 标准：GB17625.2-2007 电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制

检测机构：国家食品质量监督检验中心 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：静态漏-源通态电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管GB/T4586-1994第 Ⅳ 章2、3、6、 10、15条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

检测项：截止态漏极漏电流ID（off） 检测样品：电压基准 标准：SJ50597/57-2003 半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 SJ50597/54-2002 半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：静态漏-源通态电阻rDS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993

检测项：漏源击穿电压V（BR）DSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>