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LED光固化机产品描述:通常由光源手柄和电源组成。通过发出特定波长光线,利用光聚合原理,使光固化材料在短时间内迅速有效聚合固化。光源有石英钨卤素灯和LED灯两种类型。 LED光固化机预期用途:用于使光固化材料固化。 LED光固化机品名举例:LED光固化机、卤素灯光固化机 LED光固化机管理类别:Ⅱ LED光固化机相关指导原则: 1、...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年05月10日
检测项:互换性 检测样品:普通照明用LED模块 标准:GB 24819:2009 IEC 62031:2008 EN 62031:2008
检测项:防触电保护 检测样品:普通照明用LED模块 标准:GB 24819:2009 IEC 62031:2008 EN 62031:2008
检测项:机械强度 检测样品:普通照明用LED模块 标准:GB 24819:2009 IEC 62031:2008 EN 62031:2008
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分 光电子器件 GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:电流传输比 检测样品:光电耦合器 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分 光电子器件 GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:逻辑输出电压电平 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:上升/下降时间 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:占空因素 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:电流调整率SI 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
检测项:正向电压VF 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
检测项:静态电流ID及静态电流变化△ID 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995《半导体分立器件试验第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:光透射比 检测样品:半导体红外发光二极管 标准:SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法
检测项:输出光功率 检测样品:半导体红外发光二极管 标准:SJ 2658.6-1986 半导体红外发光二极管测试方法
机构所在地:四川省成都市 更多相关信息>>
检测项:线路总功率 检测样品:发光二极管 标准:普通照明用发光二极管性能要求 QB/T4057-2010
检测项:电源电流 检测样品:发光二极管 标准:普通照明用发光二极管性能要求 QB/T4057-2010
检测项:能效等级 检测样品:发光二极管 标准:普通照明用发光二极管性能要求 QB/T4057-2010
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:反向漏电流 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法
检测项:稳压管工作电压 检测样品:二极管 标准:半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法
检测项:稳压管动态电阻 检测样品:二极管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇 测试方法 1.3
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:正向电压 检测样品:二极管 标准:《半导体器件 分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》 GB/T 6571-1995
检测项:频率 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
检测项:反向电流IR 检测样品:二极管 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>