反向击穿电压检测实验

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半导体光电耦合器中反向击穿电压的检测

机械工业仪器仪表元器件质量检验所

检测项：反向击穿电压检测样品：光学零件镀膜减反射膜标准：JB/T 9478.12-1999光电池测量方法反向击穿电压

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检测项：反向击穿电压检测样品：电容器标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

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成都凯天电子股份有限公司实验中心

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检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

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北京振兴计量测试研究所

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检测项：反向击穿电压检测样品：光电耦合器标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

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中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：PD反向击穿电压检测样品：光纤连接器标准：PIN-FET光接收组件测试方法 YD/T 702-1993

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检测项：反向击穿电压检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向击穿电压检测样品：继电器标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.5-1982

检测项：反向击穿电压检测样品：二极管标准：半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 第Ⅳ篇测试方法 1.3

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检测项：反向击穿电压检测样品：二极管标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016

检测项：集基极反向击穿电压检测样品：晶体管标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：反向击穿电压检测样品：二极管标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2

检测项：反向击穿电压检测样品：电阻器标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：反向击穿电压检测样品：电阻器标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：光电器件标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

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检测项：反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件第2部分:整流二极管GB/T4023-1997Ⅳ篇1.3

检测项：反向击穿电压检测样品：电容器标准：电子设备用固定电容器第1部分总规范 GB/T2693－2001 第4.5、4.6、4.7、4.8、4.9条