基极电流为零时的最高集电极－发射极电压（VCEO）检测实验

最高容许浓度

简介

最高容许浓度(Maxium allowable concentration) 为预防化学物质引起人身急性或慢性中毒，各国政府都规定了工作场所的空气中所含的有毒蒸气或粉尘不应超过的数值，称为最高容许浓度（MAC），通常以mg／m3或ppm表示。ppm与mg／m3的换算关系：mg／m3= mg/m3=M/22.4*[273/(273+T)]*(Ba/101325)ppm。...查看详情>>

最高容许浓度

简介

最高容许浓度(Maxium allowable concentration)

为预防化学物质引起人身急性或慢性中毒，各国政府都规定了工作场所的空气中所含的有毒蒸气或粉尘不应超过的数值，称为最高容许浓度（MAC），通常以mg／m3或ppm表示。ppm与mg／m3的换算关系：mg／m3= mg/m3=M/22.4*[273/(273+T)]*(Ba/101325)ppm。

最高容许浓度测试方法：按现行的《大气监测检验方法》执行

最高容许浓度测试仪器：多组分气体检测仪

检测项目

最高容许浓度

收起百科↑ 最近更新：2017年04月24日

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食品中唑尼沙胺的检测

检测项：唑尼沙胺检测样品：食品标准：BJS202209 食品中双醋酚丁等19种化合物的测定

检测机构：国家食品质量监督检验中心更多相关信息>>

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北京尊冠科技有限公司

检测项：基极电流为零时的最高集电极－发射极电压（VCEO）检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

检测项：集电极电流为零时的最高发射极－基极电压（VEBO）检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

检测项：发射极电流为零时的最高集电极－基极电压（VCBO）检测样品：双极型晶体管标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》

机构所在地：北京市更多相关信息>>

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中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：集电极-发射极维持电压VCEO 检测样品：DC／DC变换器标准：SJ 20646-1997《混合集成电路DC／DC变换器测试方法》

检测项：集电极-发射极维持电压Vceo 检测样品：光电耦合器标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：集电极-基极击穿电压VCBO，发射极-基极击穿电压VEBO 检测样品：光电耦合器标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件分立器件第5部分：光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

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中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICBO:集电极与基极间反向漏电流检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：半导体器件分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

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国营长风机器厂环境试验检测计量中心

检测项：集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-基极电流检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

检测项：集电极-发射极电流检测样品：整流二极管标准：半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995

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中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

检测项：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器）标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996

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中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压检测样品：整流二极管标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压检测样品：光电耦合器标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-基极电流检测样品：整流二极管标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

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成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压检测样品：电容器标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：输入偏置电流检测样品：电压比较器标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996

检测项：输入失调电流检测样品：电压比较器标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996

机构所在地：四川省成都市更多相关信息>>

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湖北省计量测试技术研究院

检测项：复零时间检测样品：黑白密度计标准：摄影密度测量第2部分:透射密度的几何条件条件 GB/T 115000-2008 摄影密度测量第3部分:光谱条件 GB/T 11501-2008

检测项：输入声压级为90dB时的输出声压级检测样品：助听器标准：电声学助听器通用规范 GB/T 14199-2010

检测项：电压变化、电压波动和闪烁检测样品：电气照明和类似设备（EMC）标准：电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007 电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限

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中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极-基极截止电流检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：集电极—基极击穿电压检测样品：双极型晶体管标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：集电极-发射极饱和电压检测样品：光电器件标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

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