中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：正向栅源漏电流 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：《半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管》GB/T4023-1997 《半导体器件 分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T6571-1995

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所质检中心

检测项：正向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：反向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

西安电力电子技术研究所电力电子实验室

检测项：门极正向峰值功率/峰值电流/峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极触发电流/电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

检测项：门极不触发电压/电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：输入二极管正向电压 检测样品：光电耦合器 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4023-1997 半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

检测项：输入失调电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

国家激光器件质量监督检验中心

检测项：正向电压 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：正向电流 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

检测项：光功率-正向电流特性 检测样品：半导体激光器 标准：SJ2749-1987 半导体激光二极管测试方法 SJ20957-2006 大功率半导体激光二极管阵列通用规范 GB/T 15175-2012 固体激光器主要参数测试方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管 GB/T6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：正向电压 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输入正向阈值电压 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.4条

检测项：输入钳位电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法和程序　GJB548B-2005 方法2015.1

检测项：输入钳位电压 检测样品：电子元器件 标准：微电子器件试验方法标准 MIL-STD-883G-2006 方法2015.13

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：正向直流电压 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T4023-1997 半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：正向压降 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向电流的测试方法SJ2215.2-1982

检测项：开环电压增益 检测样品：电压比较器 标准：半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理GB/T6798-1996

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

富士康（昆山）电脑接插件有限公司实验室

检测项：正向力 检测样品：电子及电气零组件 标准：电气连接器正向力测试程序 EIA-364-04A-2002

检测项：正向力 检测样品：电子及电气零组件 标准：汽车电气连接器系统性能规范 SAE/USCAR-2-2007 section5.7.1

检测项：耐电压 检测样品：电子及电气零组件 标准：电子及电气零组件测试方法 MIL-STD-202G-2002

机构所在地：江苏省昆山市 更多相关信息>>