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检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输出高阻态时低电平电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:半导体集成接口电路线电路 标准:SJ/T 10803-1996 半导体集成电路线电路测试方法的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:输出短路电流 检测样品:半导体集成电路运算放大器 标准:SJ/T10738-96 半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项:栅-源短路时的漏极电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:栅-源短路时的漏极电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 》
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:短路电流和内阻水平 检测样品:固定型阀控密封式铅酸蓄电池 标准:关于危险货物运输的建议书 规章范本 (第十六修订版)第3.3章238条
检测项:外部短路试验 检测样品:锂原电池 标准:原电池 第4部分:锂电池的安全要求 GB 8897.4-2008
检测项:短路(室温55℃) 检测样品:锂电池 标准:UL 1642-2005 REV.4:2009锂电池
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:可允许的最大短路电流 检测样品:发电系统连接低压分布网络 标准:《发电系统连接低压分布网络,连接和并网到电压分布网络的技术最小要求》 VDE-AR-N 4105:2011-08
机构所在地:广东省深圳市