中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极击穿 电压V（BR）EO 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

检测项：集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品：光耦合器 标准：1、GB 12565－1990 半导体器件光电子器件分规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：集电极发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

检测项：集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：集电极-发射极饱和电压（VCEsat） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管

检测项：集电极-基极击穿电压，发射极-基极击穿电压 检测样品：整流二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分：双极型晶体管

检测项：集电极-发射极饱和压降VCE(sat) 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>