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检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
机构所在地:
检测项:集电极-发射极暗电流 检测样品:光电耦合器 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极暗电流 检测样品:光电耦合器 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 15651-1995 半导体器件分立器件 第5部分 光电子器件
机构所在地:上海市