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检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶闸管 标准:半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T15291-1994
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压VCE(sat) 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651-1995 半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压BVceo 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:集电极-发射极反向击穿 电压 检测样品:继电器 标准:半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.7-82
检测项:集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:晶体管电特性测试 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项:吸合电压 检测样品:继电器、接触器 标准:飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
检测项:电压降测定 检测样品:民用直流接触器 标准:牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988
机构所在地:贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:集电极—发射极饱和电压 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章:双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>