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检测项:单脉冲雪崩能量 检测样品:功率金属氧化物场效应管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3470.2
检测项:单脉冲雪崩能量 检测样品:二极管 标准:半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4064
机构所在地:陕西省西安市
机构所在地:湖南省长沙市
检测项:冲击试验 检测样品:电工电子产品 标准:GJB150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第18部分:冲击试验
检测项:碰撞(颠震)试验 检测样品:电工电子产品 标准:GJB4.8-1983 舰船电子设备环境试验 颠震试验
检测项:冲击试验 检测样品:电工电子产品 标准:GJB150.18A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第18部分:冲击试验
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:冲击试验 检测样品:军用及民用电子产品、电气产品、机械产品、机电产品 标准:《电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Ei: 冲击 冲击响应谱合成》GB/T 2423.57-2008
机构所在地:北京市
机构所在地:广东省广州市
机构所在地:北京市
检测项:氧 检测样品: 标准:钢铁 氧含量的测定脉冲加热惰气熔融-红外线吸收法 GB/T 11261-2006
检测项:氢 检测样品: 标准:钢铁 氢含量的测定 惰气脉冲熔融热导法 GB/T 223.82-2007
机构所在地:江苏省扬州市