宁夏新能源研究院（有限公司）新能源实验检测中心

检测项：光老炼试验 检测样品：地面用薄 膜光伏组件 标准：地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型 IEC 61646:2008

检测项：光老炼试验 检测样品：光伏 组件 标准：光伏（PV）组件安全鉴定-第 2 部分：试验要求 IEC 61730–2:2004

机构所在地：宁夏回族自治区银川市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：老炼试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：军用设备环境试验方法 浸渍试验 GJB150.14-1986

检测项：老炼试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：军用通信设备通用规范 GJB367A-2001

检测项：老炼试验 检测样品：军用及民用机械、电子类产品 标准：微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1015.1

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

上海无线电设备研究所环境与检测实验室

检测项：老炼试验 检测样品：元器件 筛选 标准：《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005

检测项：电压调整率 检测样品：晶体 三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994

检测项：电流调整率 检测样品：晶体 三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》 GB/T 4587-1994

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

国网计量中心

检测项：老炼 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：电功率老炼 检测样品：元器件筛选 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB548B-2005/GJB548A-1996微电子器件试验方法和程序 GJB360B-2009/GJB360A-1996 电子及电气元件试验方法 GJB150.4A-2009 军用装备实验室环境试验方

检测项：反向电流IR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

检测项：击穿电压VBR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：老炼 检测样品：半导体集成电路 标准：半导体器件 集成电路 第11部分：半导体集成电路分规范 （不包括混合电路） GB/T12750-2006

检测项：击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：老炼试验 检测样品：钽电容器 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

检测项：老炼试验 检测样品：电子设备、产品 标准：有可靠性指标的固体电解质钽电容总规范 GJB63B-2001

检测项：老炼试验 检测样品：钽电容器 标准：微电子器件试验方法和程序GJB548B-2005

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

北京青云航空仪表有限公司理化计量中心

检测项：老炼试验 检测样品：半导体集成 电路 (TTL) 标准：半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996

检测项：老炼试验 检测样品：电位器 标准：非线绕预调电位器总规范GJB918-1990 线绕预调电位器总规范 GJB917－1990

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第四十七研究所电子器件质量检测实验室

检测项：老炼、稳态寿命 检测样品：微电子器件 标准：微电子器件 试验方法和程序GJB548B-2005

检测项：老炼、稳态寿命 检测样品：微电子器件 标准：微电子器件 试验方法和程序GJB548B-2005

机构所在地：辽宁省沈阳市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：老炼试验 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1042

检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011

检测项：直流增益 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3076.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>