深圳华通威国际检验有限公司

检测项：射频性能 检测样品：调频收发信机 标准：ETSI EN 302 561 V1.2.1 (2009-12) 电磁兼容性和无线电频谱（ERM）;陆地移动业务无线电设备中的25 kHz，50 kHz，100 kHz或150 kHz的信道带宽使用恒定的非恒定包络调制操作;第3.2条的基本要求的协调EN

检测项：射频性能 检测样品：调频收发信机 标准：ETSI EN 302 561 V1.2.1（2009-12） - 电磁兼容性和无线电频谱（ERM）;陆地移动业务无线电设备使用恒定的非恒定包络调制操作的信道带宽为25kHz，50kHz，100kHz或150 kHz的协调EN涵盖R＆TTE指令第3.2条

检测项：5 标志 检测样品：普通照明用50V以上自镇流LED灯具 标准：普通照明用50V以上自镇流LED灯安全要求IEC62560:2011 GB24906-2010

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

天津汽车检测中心

检测项：*全部项目 检测样品：电动汽车用锂离子蓄电池 标准：DB12/T 475-2012 电动汽车用锂离子动力蓄电池技术条件 DB12/T 246-2012 电动自行车用锂离子蓄电池组、充电技术条件及安全性检测规范

检测项：排放污染物 检测样品：汽车 标准：DB 11/044-1999 汽油车双怠速污染物排放 DB 11/045-2000 柴油车自由加速烟度排放

检测项：排放污染物 检测样品：汽车 标准：DB 31/234-1999轻型汽车双怠速污染物排放限值及测试方法 DB 31/235-1999柴油车自由加速烟度排放

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：场强 检测样品：军用设备和分系统 标准：《军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求》GJB151A-97 《军用设备和分系统电磁发射和敏感度测量》 GJB152A-97

检测项：反射电平 检测样品：微波暗室 标准：《微波暗室性能测试方法》GJB6780-2009

检测项：输出高电平电压VOH 检测样品：存储器 标准：《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

北京市计量检测科学研究院

检测项：电流 检测样品：电力变压器 标准：DB11/140-2002《电力变压器节能监测标准》DB11/T173-2003《电力变压器电能平衡测算方法》GB/T16664-1996《企业供配电系统节能监测方法》

检测项：变压器负载系数 检测样品：电力变压器 标准：DB11/140-2002《电力变压器节能监测标准》DB11/T173-2003《电力变压器电能平衡测算方法》GB/T16664-1996《企业供配电系统节能监测方法》

检测项：电流 检测样品：电力变压器 标准：电力变压器节能监测标准 DB11/140-2002 电力变压器电能平衡测算方法 DB11/T173-2003G 企业供配电系统节能监测方法 B/T16664-1996

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

山东交通学院机动车检测实验中心

检测项：发动机点火系性能 检测样品： 标准：汽车综合性能不解体检测判定方法DB37/T235-1996

检测项：前轮定位参数（车轮外倾角、主销内倾角、主销后倾角） 检测样品：机动车 标准：汽车综合性能不解体检测判定方法DB37/T235-1996 营运车辆综合性能要求和检验方法GB18565-2001

机构所在地：山东省济南市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：电源电压抑制比(PSRR) 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

检测项：共模抑制比(CMRR) 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

检测项：纹波抑制比 (SRIP) 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 GB/T4377-1996

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

深圳天溯计量检测技术有限公司

检测项：屏蔽效能 检测样品：屏蔽室（箱） 标准：GB/T 12190-2006 电磁屏蔽室效能的测量方法

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

西安东仪综合技术实验室有限责任公司

检测项：碰撞试验 检测样品：电工电子产品、 军用设备 标准：电工电子产品环境试验 第２部分:试验方法 试验Eb和导则:碰撞 GB/T2423.6-1995

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子产品、 军用设备 标准：电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Db：交变湿热(12h+12h循环) GB/T 2423.4-2008

检测项：冲击试验 检测样品：电工电子产品、 军用设备 标准：军用设备环境试验方法 冲击试验 GJB 150.18-1986

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

天津市电子仪表实验所

检测项：部分参数 检测样品：熔断体 标准：半导体器件 光电子器件分规范 GB/T 12565-1990

检测项：部分参数 检测样品：熔断体 标准：半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分：低气压 GB/T 4937.2-2006 IEC 60749-2:2002

检测项：部分参数 检测样品：半导体分立器件发光二极管 标准：半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4589.1-2006 IEC 60747-10:1991

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

中国科学院半导体研究所照明检测中心

检测项：峰值发射波长、光谱带宽、光谱功率分布 检测样品：发光二极管 标准：半导体发光二极管测试方法 SJ11394-2009

检测项：峰值发射波长、光谱带宽、相对光谱功率分布 检测样品：普通照明用LED模块 标准：金属覆盖层厚度轮廓尺寸测量方法 GB 11378-2005 微电子器件试验方法和程序 2016 GJB548B－2005 金相显微镜分析方法通则 JY/T 012-1996

检测项：光谱带宽 检测样品：发光二极管芯片 标准：微电子器件试验方法和程序2009以及2016； GJ/B548B－2005 金相显微镜分析方法通则 JY/T 012-1996

机构所在地：北京市 更多相关信息>>