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检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路第Ⅳ篇 GB/T17574-1998 第2节第1条
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:采样-保持失调电压VOS 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
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检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:静态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:动态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:功能 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:存储器 标准:《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:功能测试棋盘格 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
检测项:功能测试步进 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
检测项:导通电阻路差ΔRON 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:GB/T 17574-1998《半导体集成电路 第 2 部分 数字集成电路》
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:输入高电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输入箝位电压 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>