雪崩击穿参数是MOS管在关断状态能承受过压能力的指标，电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。

单脉冲雪崩能量EAS

单次脉冲雪崩击穿能量，是极限参数，说明MOS管所能承受的最大雪崩击穿能量。MOS管开启到瞬间关断时，漏极电压升高，漏极体二极管中耗尽层产生位移电流，随着D极电压的上升，位移电流会呈现雪崩持续状态，足够大最终导致热损坏。

单脉冲雪崩电流IAS

单脉冲雪崩能力EAS时通过的雪崩电流。

重复雪崩能量EAR

规范没有对重复脉冲的频率和脉冲持续时间做出规定，不同厂家测试数据没有可比性。MOS管的连续雪崩击穿能量只有单脉冲雪崩击穿能量的几十分之一，因此应该尽量防止出现这种情况。

雪崩破坏电流、能量值与测试电感值大小的关系

随着电感值L的增大，破坏电流IAP降低，破坏能量EAR增大；判断雪崩耐量强弱时，必须考虑电流值IAP和能量值EAR；通常认为电感值L小且破坏能量值EAR大的器件就是雪崩耐量强的器件。

图1：MOS管雪崩测量电路与雪崩能量计算公式

影响雪崩耐量值的三要素：IAS的大小，当雪崩能量未达到但电流已超过IAS时，则会产生破坏；雪崩时的MOS管沟道原有的结温大小，初始结温越高，当然雪崩耐量就会降低；雪崩时dv/dt大小的影响。

图2：MOS管雪崩破坏电流与电感值之间关系曲线