中国工程物理研究院计量测试中心

检测项：键合强度 检测样品： 标准：

检测项：键合强度 检测样品：无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

检测项：键合强度 检测样品：石英晶体元件 标准：GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》

机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>

合肥通用机电产品检测院有限公司

检测项：全部项目 检测样品：制冷用电子膨胀阀 制冷用电R12、R22、R502、R134a热力膨胀阀 标准：制冷用R12、R22、R502热力膨胀阀 JB/T 3548-1991

检测项：全部项目 检测样品：制冷用电子膨胀阀 制冷用电R12、R22、R502、R134a热力膨胀阀 标准：家用和类似用途电磁四通换向阀JB/T8592-1997

检测项：全部项目 检测样品：制冷用电子膨胀阀 制冷用电R12、R22、R502、R134a热力膨胀阀 标准：大容量交叉式电磁四通换向阀 GB/T 25126-2010

机构所在地：安徽省合肥市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：键合强度（破坏性键合拉力试验） 检测样品：微电子器件 标准：《微电子器件试验方法和程序》GJB548B-2005

检测项：键合强度 检测样品：半导体分立器件 标准：《半导体分立器件试验方法》GJB128A-1997

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：键合强度（破坏性键合拉力试验） 检测样品：微电子器件 标准：GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序

检测项：键合强度（破坏性键合拉力试验） 检测样品：微电子器件 标准：GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序

检测项：键合强度 检测样品：半导体分立器件 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国科学院半导体研究所元器件检测中心

检测项：键和强度 检测样品：电工电子产品、军用设备、电子及电气元件、 半导体分立器件、微电子器件 标准：半导体分立器件试验方法 方法2037 键和强度试验 GJB128A-1997

检测项：物理尺寸 检测样品：电工电子产品、军用设备、电子及电气元件、 半导体分立器件、微电子器件 标准：微电子器件试验方法 方法2011.1键和强度（破坏性键和拉力试验） GJB548B-2005

检测项：物理尺寸 检测样品：电工电子产品、军用设备、电子及电气元件、 半导体分立器件、微电子器件 标准：微电子器件试验方法 方法2023.2非破坏性键和拉力试验 GJB548B-2005

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

天津市产品质量监督检测技术研究院

检测项：全部参数 检测样品：直接深蓝 C-3R（直接铜盐蓝 2R） 标准：直接深蓝 C-3R（直接铜盐蓝 2R） HG/T2992-2004

检测项：全部参数 检测样品：直接艳黄 4R 标准：直接艳黄 4R HG/T2588-2004

检测项：全部参数 检测样品：阳离子荧光红 X-R（C．I．碱性红 14） 标准：阳离子荧光红 X-R（C．I．碱性红 14） HG/T2551-2007

机构所在地：天津市 更多相关信息>>

飞利浦电子技术（上海）有限公司飞利浦照明电器检测中心

检测项：部分参数 检测样品：高强度放电灯测量 标准：放电灯（荧光灯除外）安全要求 GB 19652-2005

检测项：部分参数 检测样品：自镇流汞灯 标准：放电灯（荧光灯除外）安全要求 IEC 62035-2003

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中龙检验认证（香港）有限公司

检测项：对羟基苯甲酸丁酯 检测样品：干电池 标准：GB/T 7112-1998 R03、R1、R6、R14、R20型锌-锰干电池LR03、LR1、LR6、LR14、LR20型碱性锌-锰干电池

检测项：汞 检测样品：干电池 标准：GB/T 7112-1998 R03、R1、R6、R14、R20型锌-锰干电池LR03、LR1、LR6、LR14、LR20型碱性锌-锰干电池

机构所在地： 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：键合强度 检测样品：电子元器件 标准：GJB548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》

检测项：键合强度 检测样品：电子元器件 标准：GJB128A-1997 《半导体分立器件试验方法》

检测项：键合强度 检测样品：电子元器件 标准：GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：键合强度测试 检测样品：半导体分立器件失效分析 标准：GJB 3157-1998 半导体分立器件失效分析方法和程序

检测项：键合强度测试 检测样品：半导体分立器件失效分析 标准：GJB 3157-1998 半导体分立器件失效分析方法和程序

检测项：键合强度 检测样品：半导体集成电路 失效分析 标准：1、GJB 3233-1998 半导体集成电路失效分析程序和方法 2、GJB 548A-1996 微电子器件试验方法和程序 3、GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>