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检测项:漏源通态电压 检测样品:场效应管 标准:《半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地:江苏省扬州市
检测项:漏-源通态电压 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:GJB128A-1997半导体分立器件试验方法 方法3407
检测项:漏-源通态电阻 检测样品:场效应晶体管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项:输出高阻态时高电平电流 检测样品:半导体集成电路TTL电路 标准:SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法 的基本原理
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:电压暂降、短时中断和电压电压变化抗扰度 检测样品:工业、科学、医疗设备 标准:美国联邦通讯委员会 法规第18部分 FCC PART 18:2012
机构所在地:广东省东莞市
检测项:电压暂降和短时中断抗扰度 检测样品: 标准:电磁兼容试验和测量技术 电压暂降短时中断和电压变化抗扰度试验 GB/T17626.11-2008
机构所在地:广东省深圳市
机构所在地:河南省洛阳市