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胶片观察装置产品描述:通常由光源、观察屏、箱体及必要的附件组成,分为单联、双联、多联等。通过将胶片放置在具有一定亮度的观察屏上的方式,提高观片的清晰度。 胶片观察装置预期用途:用于观察医用诊断胶片。 胶片观察装置品名举例:医用观片灯、X射线胶片观片灯 胶片观察装置管理类别:Ⅰ 胶片观察装置相关指导原则: 1、含儿科应用的医用诊断X射...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年03月14日
检测项:全项目 检测样品:地面用晶体硅光伏组件 标准:地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型 GB/T 9535-1998; IEC 61215:2005
检测项:能效性能 检测样品:地面用晶体硅光伏组件 标准:外部电源的性能-测试方法及能效标签 AS/NZS 4665.1:2005 外部电源的性能-最低能效标准 AS/NZS 4665.2:2005
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:第一位特征数字所表示的防止固体异物进入试验 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:第二位特征数字所表示的防止水进入的试验 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:共发射极正向电流传输比静态值 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:击穿电压 检测样品:晶体管 标准:半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:饱和压降 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项:截止电流 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:正向电压VF 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:击穿电压 V(BR) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:工作电压VZ 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:VFM: 正向峰值電壓 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:IR: 反向电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:外部目检 检测样品:闸流晶体管 标准:SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第6部分:闸流晶体管
检测项:粒子碰撞噪声检测 检测样品:闸流晶体管 标准:SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第6部分:闸流晶体管
检测项:粗检漏 检测样品:闸流晶体管 标准:SJ/Z9014.3-1987半导体器件 分立器件和集成电路 第6部分:闸流晶体管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压Vces 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:栅-源阈值电压 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件 第8部分: 场效应晶体管 GB/T4586-1994
检测项:基极-发射极饱和电压Vbes 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3011
检测项:共发射正向电流传输比 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体器件分立器第7部分双极型晶体管 GB/T4587-1994
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:反向漏电流 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章:双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项:二极管特性曲线 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章:双极型晶体管GB/T4587-1994
检测项:稳定性烘焙 检测样品:半导体 晶体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章:双极型晶体管GB/T4587-1994
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压V(BR) 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:稳压管工作电压Vz 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:稳压管动态电阻rz 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>