中兴通讯股份有限公司材料实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体器件分立器件 -第3部分信号（包括开关）和稳压二极管 IEC 60747-3-1985

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体器件分立器件 -第3部分：分立器件：信号，开关和整流二极管 IEC 60747-3-2013

检测项：反向漏电流 检测样品：PCB 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-97

机构所在地：广东省深圳市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七二二研究所计量检测中心

检测项：反向漏电流IR 检测样品：三极管 标准：GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：反向电流IR 检测样品：光电耦合器 标准：GB╱T15651-1995 《半导体器件 分立器件第5部分： 光电子器件》 GB／T6571-1995《半导体分立器件 第3部分》 GB／T4587-1994《半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管》第Ⅳ章

检测项：低压电气及电子设备发出的谐波电流限值(设备每相输入电流≤16A) 检测样品：工业、科学和医疗射频设备 标准：(1)GB/T17625.1-2003 (2)IEC 61000-3-2:2005 《电磁兼容 限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司

检测项：反向漏电流Ir 检测样品：晶闸管 标准：GB∕T 15291-1994半导体器件 第6部分：晶闸管

检测项：反向漏电流IR 检测样品：二极管 标准：1.GB/T 4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管； 2.GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管；

检测项：反向栅源漏电流Igssr 检测样品：光耦合器 标准：1.GB/T15651.3-2003半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 2.GB12565-1990半导体器件光电子器件分规范

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

陕西省电子技术研究所电子元器件检测筛选中心

检测项：反向漏电流（IR） 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97

检测项：反向栅源漏电流（IGSSR） 检测样品：光电 耦合器 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管 GB/T 4587-94 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 半导体分

检测项：漏电流(IO) 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T 2693-2001

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十七研究所计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：反向电压VR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T6571-1995

检测项：直流电流功能准确度 检测样品：数字多用表校准仪 标准：数字多用表校准仪通用技术条件BG/T15637-1995

机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：放大倍数hFE 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 GB/T 4023－1997 半导体器件分立器件　第3部分： 信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995

检测项：漏电流 检测样品：固定电感器 标准：电子和通信设备用表变压器和电感器测量方法及试验程序 GB/T 8554-1998

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：反向电流IR 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003《电子设备用固定电阻器总规范》

检测项：复位电流IR 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T14029-1992 《半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管

检测项：复位触发电流IR 检测样品：半导体集成电路运算放大器 标准：SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：双基极单结晶体管 标准：SJ/T10333-1993 单结晶体管测试方法

检测项：复位电流IR 检测样品：模拟/混合集成电路 标准：GB/T 6798-1996 半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 GB/T 17940-2000半导体器件集成电路 第3部分 模拟集成电路 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 14028-1992

检测项：发射极与第一基极间反向电流Ieo 检测样品：继电器 标准：GJB1042A-2002 电磁继电器通用规范

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>