北京尊冠科技有限公司

检测项：反向电流（IR） 检测样品：双极型晶 体管 标准：GB/T 4587－94 《半导体器件分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》

检测项：反向电流（IR） 检测样品：信号（包括开关）和调整二级管 标准：GB/T 6571－1995《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二级管》

检测项：输入二级管反向电流 IR 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T 15651.2－2003《半导体器件分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件基本额定值和特性》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

惠州科锐半导体照明有限公司光电实验室

检测项：反向电流(IR) 检测样品：发光二极管 (LED) 标准：半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 GB/T14862-1993

检测项：正向电流(IF) 检测样品：发光二极管 (LED) 标准：半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 GB/T14862-1993

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》GB/T 6571-1995 《半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管》GB/T 4023-1997

检测项：反向电流IR 检测样品：光电耦合器 标准：《半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件》GB/T 15651-1995 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997

检测项：复位电流IR 检测样品：时基电路 标准：《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》GB/T 14030-1992 《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：IR: 反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICBO:集电极与基极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十三研究所检测中心

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：1、GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管 2、GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 3、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件

检测项：反向电流IR 检测样品：发光二极管 标准：1、GB/T 18904.3－2002 半导体器件第12-3部分：光电子器件显示用发光二极管空白详细规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 3、SJ/T 11394-2009 半导体二极

检测项：反向电流IR 检测样品：发光二极管 标准：1、GB/T 18904.3－2002 半导体器件第12-3部分：光电子器件显示用发光二极管空白详细规范 2、GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路第5-3部分：光电子器件测试方法 3、SJ/T 11394-2009 半导体二极

机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：反向电流IR 检测样品：二极管 标准：半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分： 整流二极管 GB/T 4023-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：漏电流 检测样品：固定电容器 标准：电子设备用固定电容器第一部分：总规范 GB/T 2693-2001；电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 有可靠性指标的非固体电解质钽固定电容器总规范 GJB 733A-199

检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

西安东风仪表厂可靠性试验检测中心

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：反向漏电流 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件和集成电路 第七部分第4章：双极型晶体管GB/T4587-1994

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

贵州天义电器有限责任公司电气检测中心

检测项：二极管电特性测试 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980

检测项：最大线圈电流 检测样品：继电器、接触器（含可靠性指标） 标准：含可靠性指标的电磁继电器总规范GJB1461-1992 电子及电气元件试验方法GJB360B-2009 军用设备环境实验方法湿热试验GJB150.9-1986

机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>

西南计算机有限责任公司检测计量与软件测评中心

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 GB/T6571-1995 Ⅳ章 测试方法

检测项：反向栅源漏 电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407

检测项：反向电流 检测样品：继电器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.4-1982

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

国网计量中心

检测项：反向漏电流 检测样品：继电器 标准：控制用电磁继电器可靠性试验通则 GB/T15510-2008 电子式电能表用磁保持继电器 JB/T10923-2010

检测项：泄漏电流试验 检测样品：气体密度微水在线监测装置 标准：六氟化硫微量水分仪 DL/T 846.5-2004

检测项：漏电流 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器第4部分 固体或非固体电解质铝电容器GB/T5993-2003 GJB360B-2009 电子及电气元件试验方法

机构所在地：北京市 更多相关信息>>