您当前的位置:首页 > 发射极与第一基极间反向电流Ieo
棘突植入物产品描述:通常由单个或多个部件组成。一般采用钛合金等材料制成。该产品可用于在腰椎棘突间施加一定的撑开力,限制腰椎过度后伸。 棘突植入物预期用途:用于维持腰椎活动节段棘突间的稳定。 棘突植入物品名举例:棘突间植入物 棘突植入物管理类别:Ⅲ 棘突植入物相关指导原则: 1、3D打印人工椎体注册技术审查指导原则 2、增材制...查看详情>>
收起百科↑ 最近更新:2023年04月03日
检测项:发射极-基极截止电流IEBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997
机构所在地:四川省成都市
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:上海市
检测项:发射极-基极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章2.1条 第Ⅳ章2.2条 第Ⅳ章3条 第Ⅳ章4.2条
机构所在地:江苏省南京市
机构所在地:湖北省武汉市