绝缘栅型场效应管中栅-源阀值电压VGS(TH)的检测

检测项：栅-源阀值电压VGS(TH) 检测样品：绝缘栅型场效应管 标准：GB/T4586-1994/IV6 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应管

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

场效应管中零栅压时的漏极电流IDSS的检测

检测项：零栅压时的漏极电流IDSS 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》 GB/T4586-1994

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

武汉中原电子集团有限公司计量检测中心

检测项：栅-源截止电压VGS(off) 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：栅-源阈值电压VGS(TO) 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：正向电流传输比HFE 检测样品：场效应管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：发射极--基极击穿电压BVEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

检测项：集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：发射极--基极截止电流IEBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--发射极截止电流ICEO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：集电极--基极击穿电压BVCBO 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3407

检测项：通态电阻 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3405.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：集电极—发射极维持电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

检测项：共发射极正向电流传输比 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：饱和压降 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：截止电流 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

检测项：直流放大倍数 检测样品：场效应管IGBT 标准：半导体分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

中科华核电技术研究院有限公司核安全电气设备鉴定检测中心

检测项：高温 反偏 检测样品：电子元器件 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：高温 反偏 检测样品：电子元器件 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：功率 老炼 检测样品：电子元器件 标准：光电器件环境应力筛选通用要求 GJB 4508-2002

机构所在地：北京市 更多相关信息>>