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检测项:非易失性存储器写入寿命 检测样品:智能电能表软件 标准:Q/GDW11680-2017 智能电能表软件可靠性技术规范
检测机构:国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>
检测项:识读装置强度 检测样品:电子防盗锁 标准:GA374-20196.9.5 电子防盗锁
检测机构:国家材料分析检测中心 更多相关信息>>
检测项:测序读长和通量 检测样品:高通量基因测序仪 标准:YY/T1723-2020 高通量基因测序仪
检测机构:医药医疗器械检测中心 更多相关信息>>
检测项:擦/读/写稳定性 检测样品:纯电动乘用车控制芯片 标准:纯电动乘用车控制芯片功能环境试验方法 T/CSAE 225-2021 6.3.1
检测机构:国家新能源汽车检测中心 更多相关信息>>
检测项:多识读器以及密集识读器的信道化信令 检测样品:射频识别识读器/射频识别识读器模 块 标准:EPCglobal标准:EPC射频识别协议——1类2代超高频射频识别——一致性要求,第1.0.5版
检测项:幅移键控模式:识读器到标签的链路调制 检测样品:射频识别识读器/射频识别识读器模 块 标准:EPCglobal标准:第2版高频,第1.0版
检测项:底层识读器协议 检测样品:识读器软件 标准:EPCglobal标准:底层识读器协议,第1.1版
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:全部参数 检测样品:生物芯片识读仪 标准:《生物芯片识读仪》 YZB/沪1907-40-2006
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:存储器 标准:《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》SJ/T 10739-1996
机构所在地:贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项:采样-保持失调电压VOS 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项:输出高电平电压VOH 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项:输出低电平电压VOL 检测样品:半导体集成电路MOS随机存储器 标准:SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项:静态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:动态参数 检测样品:MOS随机存储器 标准:半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项:静态参数 检测样品:双极性随机存储器 标准:半导体集成电路双极型随机存储器器测试方法的基本原理 SJ/T 10740-1996
机构所在地:湖北省孝感市 更多相关信息>>
检测项:抄读总差错率试验 检测样品:住宅远传抄表系统 标准:住宅远传抄表系统 JG/T 162—2009