吉林省电力科学研究院有限公司

检测项：直流耐压试验及漏泄电流 检测样品：绝缘子 标准：电气装置安装工程电气设备交接试验标准 GB 50150-2006 电力设备预防性试验规程 DL/T 596-1996

检测项：直流漏泄电流及直流参考电压 检测样品：接地装置 标准：接地装置特性参数测量导则 DL/T 475-2006

检测项：交流漏泄电流及交流参考电压 检测样品：接地装置 标准：接地装置特性参数测量导则 DL/T 475-2006

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

中国航空综合技术研究所航空综合环境航空科技重点实验室

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：晶体二极管 标准：GB4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》

检测项：截止态漏级漏电流 ID（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

检测项：截止态源级漏电流 IS（off） 检测样品：模拟集成电路 标准：GB/T 14030-1992 《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》

机构所在地：北京市 更多相关信息>>

中国空空导弹研究院元器件检测中心

检测项：漏--源短路时的栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：模拟输入电流AI 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器 标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

检测项：基准输入电流IRI 检测样品：混合集成电路A/D、D/A变换器 标准：SJ 20961-2006集成电路A/D、D/A转换器测试方法的基本原理

机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>

湖南航天管理局计量检测中心

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第9部分：场效应晶体管

检测项：集电极-基极截止电流ICBO 检测样品：晶体管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

贵州航天计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：《半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T 4586-1994 《半导体分立器件试验方法GJB 128A-1997

检测项：输入负载电流ILI 检测样品：TTL电路 标准：《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996

检测项：工作状态时电源电流ICC 检测样品：TTL电路 标准：《半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本原理》SJ/T 10735-1996

机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>

湖北航天技术研究院计量测试技术研究所

检测项：栅源极截止（漏泄）电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：部分参数 检测样品：电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996

检测项：发射极-基极截止电流IEBO 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分：场效应晶体管 GB/T 4587-1994

机构所在地：湖北省孝感市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：栅极截止电流 检测样品：场效应管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

检测项：栅极截止电流 检测样品：二极管 标准：GB/T 4023-1997《半导体器件:分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管》 GB/T6571-1995 《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》

检测项：集电极-基极截止电流 检测样品：晶体三极管 标准：GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

上海精密计量测试研究所

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：栅极截止电流IGSS 检测样品：场效应晶体管 标准：GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法

检测项：空气漏泄 检测样品：低频电连接器 标准：GJB1216-1991 电连接器接触件总规范 QJ1903-1990电连接器总规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

中国航空无线电电子研究所元器件检测中心

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：栅极泄漏电流 检测样品：场效应管 标准：GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管

检测项：电源电流 检测样品：数模混合 集成电路 标准：GJB 597A-1996 半导体集成电路总规范

机构所在地：上海市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：栅极漏电流 检测样品：小型开关电源 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3411.1

检测项：栅极漏电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3411.1

检测项：栅极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4221.1

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>