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检测项:特殊光学效应 检测样品:珠宝玉石 标准:
机构所在地:河北省保定市 更多相关信息>>
检测项:热效应 检测样品:药品 标准:中国药典2010年版一部
机构所在地:海南省海口市 更多相关信息>>
检测项:毛细效应 检测样品:纺织品 标准:纺织品毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008
检测项:毛细效应 检测样品:纺织品 标准:机织物测试方法 - 厚度 JIS L 1096-1999 章节 8.5
机构所在地:浙江省杭州市 更多相关信息>>
检测项:饱和压降 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项:截止电流 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
检测项:直流放大倍数 检测样品:场效应管IGBT 标准:半导体分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T 4586-1994
机构所在地:重庆市 更多相关信息>>
检测项:农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品:洁净室 标准:农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验(DB440300/T32.5-2007)
检测项:农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品:转基因生物检测 标准:农业转基因生物食用安全性检验 第5部分 非期望效应检验(DB440300/T32.5-2007)
检测项:农业转基因生物非期望效应检验和等级评价 检测样品:洁净室 标准:农业转基因生物食用安全性要求和评价(SZJG 23-2006)
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
检测项:hFE:共发射接法时静态电流放大系数 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
检测项:V(BR)DS*:崩潰電壓 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:俄歇谱术定性分析材料表面的化学元素 检测样品:无机材料 标准:《用峰值鉴定化学元素》 ASTM E827-2008 《降低有害电子束影响》 ASTM E983-2010 《化学效应和基体效应的鉴别》 ASTM E984-2006 《背底扣除技术》ASTM E995-2004 《实验数据报告》 AS
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:防油性 检测样品:纺织品及服装 标准:纺织品 毛细效应试验方法 FZ/T 01071-2008
机构所在地:江苏省无锡市 更多相关信息>>
检测项:滤线栅效应(混叠) 检测样品:医用X射线诊断设备质量控制检测 标准:计算机X射线摄影(CR)质量控制检测规范 GBZ187-2007
检测项:源置于贮存位时,贮源器泄漏辐射空气比释动能率 检测样品:后装γ源近距离治疗设备性能检测 标准:后装γ源近距离治疗卫生防护标准GBZ121-2002
检测项:α、β表面污染 检测样品:工作场所放射防护检测 标准:低能γ射线粒子源植入治疗的放射卫生防护与质量控制检测规范 GBZ 178-2006
机构所在地:山东省济南市 更多相关信息>>
检测项:*全部项目 检测样品:高压交流断路器及其元件 标准:RTCA/DO-160F 机载设备环境条件和试验程序 第23章 雷电效应试验
检测项:*全部项目 检测样品:高压交流断路器及其元件 标准:机载设备环境条件和试验程序 第23章 雷电效应试验 RTCA/DO-160F
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>