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收缩率(Shrinkageration) 定义为收缩量与收缩前尺寸之比的百分数，收缩量则为收缩前后尺寸之差。 收缩率 测试仪器：薄膜热收缩率试验仪 查看详情>>
收缩率(Shrinkageration)
定义为收缩量与收缩前尺寸之比的百分数，收缩量则为收缩前后尺寸之差。
收缩率测试仪器：薄膜热收缩率试验仪
收起百科↑ 最近更新：2017年04月24日
检测项：微波漏能 检测样品：舰船总体 标准：①HJB237-2001《舰船电磁兼容性试验方法》 ②HJB34A-2007《舰船电磁兼容性要求》
检测项：微波漏能 检测样品：舰船总体 标准：《舰船电磁兼容性试验方法》 HJB237-2001 《舰船电磁兼容规范》 HJB34A-2007 《舰船系统界面要求电磁环境直流磁场环境》 GJB1446.41-1992
机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项：漏－源击穿电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：漏极电流 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
检测项：静态漏-源通态电阻 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：截止态漏极漏电流ID 检测样品：V/F、F/V转换器 标准：《半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器》 GB/T 14114-1993
检测项：漏源极截止电流IDSS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
检测项：静态漏-源通态电阻rDS 检测样品：晶体振荡器 标准：《晶体振荡器总规范》GJB 1648-1993
机构所在地：贵州省贵阳市 更多相关信息>>
检测项：栅源短路时的漏极电流 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T4587-1994
检测项：截止态漏极漏电流ID(off) 检测样品：脉宽调制器 标准：半导体集成电路开关电源脉宽调制器测试方法 QJ2660-1994
检测项：电压调整率 检测样品： 标准：
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：耐漏液性能 检测样品：锂原电池 标准：原电池 第4部分：锂电池的安全要求 GB 8897.4-2008
检测项：耐漏液性能 检测样品：手表电池 标准：原电池 第1部分IEC 60086-1:2007 总则原电池 第2部分：外形尺寸和技术要素 IEC 60086-2:2007
检测项：耐漏液性能 检测样品：手表电池 标准：原电池 第3部分：手表电池 GB/T 8897.3-2006 IEC 60086-3:2004
检测项：残磁 检测样品：滚动轴承 标准：JB/T8571-2008滚动轴承 密封深沟球轴承防尘、漏脂、温升性能试验规程
机构所在地：河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项：静态漏-源通态电阻RDS(on) 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：漏-源击穿电压V(BR)DSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项：漏极截止电流IDSS 检测样品：半导体集成电路时基电路 标准：GB/T14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：密封性能试验 检测样品：滚动轴承 标准：滚动轴承 密封深沟球轴承防尘、漏脂和温升性能试验规程 JB/T 8571-2008
机构所在地：浙江省杭州市 更多相关信息>>
检测项：防尘 检测样品：滚动轴承 标准：《滚动轴承密封深沟球轴承防尘、漏脂、温升性能试验规程》JB/T8571-2008
检测项：漏脂 检测样品：滚动轴承 标准：《滚动轴承 测量和检验的原则及方法》GB/T307.2-2005
检测项：组件漏射线 检测样品：医用诊断X线机计算机断层摄影装置（X射线CT） 标准：GBZ165-2005 X射线计算机断层摄影放射性卫生防护标准
检测项：全部项目 检测样品：X、γ射线防护剂量（率）仪、剂量报警器 标准：GB/T 14323-1993 X、γ辐射个人报警仪 GB/T 13161-2003 直读式个人X 和γ辐射剂量当量和剂量当量率仪 GB 4835-2008 辐射防护用携带式X、γ辐射剂量率仪和监测仪
检测项：X、γ射线剂量（率） 检测样品：环境与工作场所 标准：GB/T14583-1993 环境地表γ辐射剂量率测定范围 GB/T14056.1-2008 表面污染测定 第一部分β发射体(Eβmax＞0.15MeV)和α发射体
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