官方微信
您当前的位置:首页 > 碰撞颠震
检测项:弯曲性能 检测样品:金属材料及金属制品 标准:金属材料焊接的破坏性试验 碰撞试验 试验样品的位置、切口的朝向和检查 ISO 9016-2012
机构所在地:天津市 更多相关信息>>
检测项:碰撞试验 检测样品:锂电池 标准:锂离子蓄电池总规范 QB/T 2502-2000
检测项:碰撞试验 检测样品:锂电池 标准:进出口危险货物分类试验方法 第14部分:锂电池组 SN/T 1828.14-2006
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:碰撞 检测样品:蜂窝电话用镉镍电池 标准:蜂窝电话用镉镍电池总规范 GB/T 18289-2000
检测项:碰撞试验 检测样品:原电池 标准:原电池 第1部分 GB/T 8897.1-2008 总则原电池 第2部分:外形尺寸和技术要素 GB/T 8897.2-2008
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:颗粒碰撞噪声检测 检测样品:半导体分立器件失效分析 标准:GJB 3157-1998 半导体分立器件失效分析方法和程序
检测项:粒子碰撞噪声检测 检测样品:军用电子元器件破坏性物理分析 标准:1、GJB 4027A-2006 军用电子元器件破坏性物理分析方法 2、GJB 5914-2006 各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 3、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 4、GJB 360A-1996 电子及
机构所在地:河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项:**部分参数 检测样品:医用电气设备(环境试验) 标准:医用电器环境要求及试验方法GB/T 14710-2009
检测项:微粒碰撞噪声检测 检测样品:半导体分立器件 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:粒子碰撞噪声检测试验 检测样品:半导体分立器件 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法
检测项:粒子碰撞噪声检测试验 检测样品:微电子器件 标准:GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB548A-1996 微电子器件试验方法和程序
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:碰撞试验 检测样品:**集成电路(IC)卡读写机 标准:《集成电路(IC)卡读写机通用规范》GB/T18239-2000
检测项:碰撞 检测样品:通信设备过电压保护用半导体管 标准:通信设备过电压保护用半导体管 YD/T 940-1999
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:冲击/碰撞试验 检测样品:军用设备、电工电子产品 标准:军用设备环境试验方法 湿热试验GJB150.9-86
检测项:冲击/碰撞试验 检测样品:军用设备、电工电子产品 标准:军用设备环境试验方法 冲击试验GJB150.18-86
检测项:冲击/碰撞试验 检测样品:军用设备、电工电子产品 标准:军用设备环境试验方法 湿热试验GJB150.9-1986
机构所在地:安徽省合肥市 更多相关信息>>
检测项:粒子碰撞噪声检测(PIND) 检测样品:电磁继电器 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
检测项:粒子碰撞噪声检测(PIND) 检测样品:石英晶体元件 标准:GJB 4027A-2006 《军用电子元器件破坏性物理分析方法 》
机构所在地:四川省绵阳市 更多相关信息>>