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检测项:陡波冲击试验 检测样品:电力电缆 标准:高压线路绝缘子空气中冲击击穿试验―定义、试验方法和判据 DL/T557-2005
检测项:陡波冲击试验 检测样品:电力电缆 标准:高压线路绝缘子空气中冲击击穿试验―定义、试验方法和判据 DL/T 557-2005
检测项:电气强度 检测样品:绝缘油 标准:绝缘油击穿电压测定法 GB/T 507-2002 电工流体 变压器和开关用的未使用过的矿物绝缘油 GB 2536-2011 电气装置安装工程 电气设备交接试验标准 GB 50150-2006 运行中变压器油质量 GB/T 7595-2008
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:电容器 标准:电子设备用固定电容器 第1部分:总规范 GB/T 2693-2001
检测项:反向击穿电压(V(BR)) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项:集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO) 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地:陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项:栅源击穿电压 检测样品:VDMOS管 标准:半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压 检测样品:半导体集成运算放大器 标准:SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>
检测项:软化击穿 检测样品:155级聚酯漆包铜圆线 标准:绕组线试验方法 第6部分:热性能 GB/T 4074.6-2008/IEC 60851-6:1996
检测项:击穿电压 检测样品:180级聚酯亚胺漆包铜圆线 标准:绕组线试验方法 第5部分:电性能 GB/T 4074.5-2008/IEC 60851-5:2004
检测项:软化击穿 检测样品:180级聚酯亚胺漆包铜圆线 标准:绕组线试验方法 第6部分:热性能 GB/T 4074.6-2008/IEC 60851-6:1996
机构所在地:江苏省苏州市 更多相关信息>>
检测项:耐电压测试 检测样品:电绝缘材料 标准:在工业用电频率时实心电绝缘材料的介电击穿电压与介电强度的试验方法ASTM D149:2009(2013)
检测项:密度 检测样品:塑料 标准:设备和器具部件用塑料材料易燃性的试验UL 94-2013
检测项:镉,铅,汞,铬,砷,锑,钡,硒,铝,硼,钴,铜,锰,镍,锶,锡,锌 检测样品:玩具材料部件及其成品 标准:玩具安全 EN 71-3:2013
机构所在地:广东省广州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR) CEO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压V(BR) 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:集电极-基极击穿电压V(BR) CBO 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
检测项:发射极-基极击穿电压V(BR )EBO 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:反向击穿电压 检测样品:二极管 标准:GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项:发射极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-基极 击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市 更多相关信息>>