昆山恒准技术服务有限公司

检测项：门限电压 检测样品：逻辑分析仪 标准：逻辑分析仪通用技术条件和测试方法 GB/T 15471-1995

检测项：门限电压 检测样品：逻辑分析仪 标准：逻辑分析仪通用技术条件和测试方法 GB/T 15471-1995

机构所在地：江苏省昆山市 更多相关信息>>

宁波市计量测试研究院（宁波市衡器管理所）

检测项：电流改变引起的误差试验 检测样品：1级及2级机电式有功电能表 标准：《交流电测量设备通用要求、试验和试验条件 第11部分：测量设备》GB/T17215.211-2006 《交流电测量设备 特殊要求 第11部分:机电式有功电能表(0.5、1和2级)》GB/T 17215.311-2008

检测项：通用机械要求 检测样品：1级及2级机电式有功电能表 标准：《交流电测量设备通用要求、试验和试验条件 第11部分：测量设备》GB/T17215.211-2006 《交流电测量设备 特殊要求 第11部分:机电式有功电能表(0.5、1和2级)》GB/T 17215.311-2008

检测项：悬挂倾斜3°引起的误差改变极限 检测样品：1级及2级交流有功电能表 标准：《交流电测量设备通用要求、试验和试验条件 第11部分：测量设备》GB/T17215.211-2006 《交流电测量设备 特殊要求 第11部分:机电式有功电能表(0.5、1和2级)》GB/T 17215.311-2008

机构所在地：浙江省宁波市 更多相关信息>>

乐清市质量技术监督检测院

检测项：基本误差 检测样品：交流电压表/ 电流表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第9部分：推荐的试验方法》 GB/T7676.9-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》 GB/T7676.1-1998 《电流表与电压表》 JB/T9282-1999

检测项：耐电压试验 检测样品：交流电压表/ 电流表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第9部分：推荐的试验方法》 GB/T7676.9-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》 GB/T7676.1-1998 《电流表与电压表》 JB/T9282-1999

检测项：自热 检测样品：交流电压表/ 电流表 标准：《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第9部分：推荐的试验方法》 GB/T7676.9-1998 《直接作用模拟指示电测量仪表及其附件第1部分：定义和通用要求》 GB/T7676.1-1998 《电流表与电压表》 JB/T9282-1999

机构所在地：浙江省乐清市 更多相关信息>>

威胜集团有限公司测试中心

检测项：短时过电流影响试验 检测样品：电能表 标准：① 交流电测量设备 特殊要求 第21部分：静止式有功电能表（1级和2级） GB/T 17215.321-2008/IEC 62053-21:2003 ② 交流电测量设备 特殊要求 第22部分：静止式有功电能表（0.2S级和0.5S级) GB/T 172

检测项：短时过电流影响试验 检测样品：电力用户用电信息采集系统 标准：① 交流电测量设备 特殊要求 第21部分：静止式有功电能表（1级和2级） GB/T 17215.321-2008/IEC 62053-21:2003 ② 交流电测量设备 特殊要求 第22部分：静止式有功电能表（0.2S级和0.5S级) GB/T 172

检测项：短时过电流影响试验 检测样品：电能表 标准：① 交流电测量设备 特殊要求 第21部分：静止式有功电能表（1级和2级） GB/T 17215.321-2008/IEC 62053-21:2003 ② 交流电测量设备 特殊要求 第22部分：静止式有功电能表（0.2S级和0.5S级) GB/T 1

机构所在地：湖南省长沙市 更多相关信息>>

湖北省计量测试技术研究院

检测项：外观 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000

检测项：存储器 检测样品：集成电路（IC）卡读写机 标准：集成电路（IC）卡读写机通用规范 GB/T 18239-2000

检测项：接触电流 检测样品：电工电子产品（接触电流） 标准：接触电流和保护导体电流的测量方法 GB/T 12113-2003/ IEC 60990:1999

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

检测项：输入高电平电流 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.9条

检测项：输入低电平电流 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.10条

检测项：输出高电平电流 检测样品：电子元器件 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000 第5.11条

机构所在地：江苏省无锡市 更多相关信息>>

惠州海格电气有限公司实验室

检测项：介电性能试验 检测样品：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断 路器（RCCB） 标准：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCCB）第1部分：一般规则 GB 16916.1-2003 IEC 61008-1:2012

检测项：介电性能试验 检测样品：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 标准：家用和类似用途的带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCBO） 第1部分：一般规则 GB 16917.1-2003 IEC 61009-1:2012

检测项：验证过电流情况下的不动作电流极限值 检测样品：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断 路器（RCCB） 标准：家用和类似用途的不带过电流保护的剩余电流动作断路器（RCCB）第1部分：一般规则 GB 16916.1-2003 IEC 61008-1:2012

机构所在地：广东省惠州市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团第七0九研究所微电子测试校准实验室

检测项：输出低电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：输出高电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

检测项：低三态输出电流 检测样品：集成电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

武汉网锐实验室(信息产业光通信产品质量监督检验中心)

检测项：过电流保护限流特性 检测样品：射频连接器 标准：YD/T 1329-2004通信设备过电压过电流保护用集成电路型保安单元

检测项：保安单元 检测样品：总配线架保安单元 标准：中国网通《集成电路过电压过电流保安单元总体要求》

检测项：过电压保护电气特性 检测样品：总配线架保安单元 标准：中国网通《集成电路过电压过电流保安单元总体要求》

机构所在地：湖北省武汉市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第四十研究所质量监督检验中心

检测项：线圈电流 检测样品：旋转开关 标准：GJB734A-2002旋转开关（电路选择器，小电流容量）通用规范4.6.13

检测项：转换力矩 检测样品：旋转开关 标准：GJB734A-2002旋转开关（电路选择器，小电流容量）通用规范4.6.3

检测项：温差电动势 检测样品：旋转开关 标准：GJB734A-2002旋转开关（电路选择器，小电流容量）通用规范4.6.22

机构所在地：安徽省蚌埠市 更多相关信息>>