绝缘栅双极晶体管(IGBT)中集电极截止电流的检测

检测项：集电极截止电流 检测样品：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 标准：GB/T29332-2012/IEC60747-9Ed.2.0:20076.3.4 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

检测机构：国家电子电器产品检测中心 更多相关信息>>

医用激光设备中可达发射极限的判定的检测

检测项：可达发射极限的判定 检测样品：医用激光设备 标准：激光产品的安全 第1部分:设备分类和要求 IEC 60825-1 2014 9

检测机构：医药医疗器械检测中心 更多相关信息>>

晶体三极管中集电极--发射极饱和电压VCES的检测

检测项：集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品：晶体三极管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》 GB/T4587-1996

检测机构：国家机械电子产品环境与可靠性质量监督检验中心 更多相关信息>>

成都凯天电子股份有限公司实验中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器集电极—发射极反向击穿电压的测试 方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法SJ2215.7-1982

检测项：反向击穿电压 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 GB/T 4587-1994 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中达电子（江苏）有限公司分析实验室

检测项：VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VCBO: 集电极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

检测项：VEBO:发射极与基极间反向击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)

机构所在地： 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：电容器 标准：电子设备用固定电容器 第1部分 总规范 GB/T2693－2001 第4.5、4.6、4.7、4.8、4.9条

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

检测项：集电极-发射极击穿电压 检测样品：场效应 晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997 方法3011

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

西南技术物理研究所检测校准中心实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电耦合器 标准：半导体光电耦合器测试方法 SJ 2215.1～2215.14-1982

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：双极型晶体管 标准：半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：晶振 标准：GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件

检测项：集电极-发射极截止电流 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

检测项：集电极-发射极饱和电压 检测样品：场效应晶体管 标准：GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>

西北机电工程研究所检测和校准实验室

检测项：晶体管集电极-发射极击穿电压V(BR)CEX 检测样品：晶体管 标准：《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997

机构所在地：陕西省咸阳市 更多相关信息>>