您当前的位置:首页 > 集电极—发射极维持电压
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
机构所在地:江苏省连云港市
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:《半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管》GB/T 4587-1994 《半导体分立器件试验方法》GJB 128A-1997
机构所在地:贵州省贵阳市
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:河北省石家庄市
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:VCEO:集电极与发射极间反向击穿电压 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:ICEO:集电极与发射极间反向漏电流 检测样品:双极型晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 IEC 60747-7(第三版 2010-12)
检测项:VCEsat: 集电极与发射极间的饱和压降 检测样品:场效应晶体管 标准:半导体器件 分立器件和集成电路 第8部分:场效应晶体管IEC 60747-8(第三版 2010-12)
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