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检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:晶体管 标准:半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 半导体分立器件和集成电路第7部分:场效应晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省孝感市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
检测项:集电极-发射极击穿电压 检测样品:场效应晶体管 标准:GJB128A-1997 半导体分立器件试验方法 方法3011
机构所在地:湖北省宜昌市
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:耦合器 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法 第5.1条 第5.6.2条
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条
机构所在地:江苏省南京市
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管
机构所在地:河北省石家庄市