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检测项:全部项目 检测样品:工业通用阀门 标准:JB/T 9092-1999《阀门的检验与试验》 GB/T 13927-2008《工业阀门 压力试验》 API Spec 6FA:1999阀门耐火试验规范 API Spec 6FC: 2009倒密封阀门耐火试验规范 API Spec 6FD:1995(r
机构所在地:湖北省荆州市 更多相关信息>>
检测项:电压波动和闪烁 检测样品:医用电气设备和系统、工科医设备、信息技术设备、家用电器、电动工具和类似用具 (电磁兼容) 标准:电磁兼容 限值 对额定电源不大于16A的设备在低压供电系统中产生的电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007 IEC 61000-3-3:2008
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:振动(正弦) 检测样品:电子电工产品及汽车零部件产品 标准:电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Fc: 振动(正弦) GB/T 2423.10-2008
机构所在地:上海市 更多相关信息>>
检测项:射频场感应的传导骚扰抗扰度 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB17625.1-2003 IEC61000-3-2: 2009 EN61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
检测项:工频磁场抗扰度 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB17625.1-2003 IEC61000-3-2: 2009 EN61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
检测项:电压暂降、短时中断和电压电压变化抗扰度 检测样品:电子电器设备(额定电流不大于16A) 标准:电磁兼容 限值 谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A) GB17625.1-2003 IEC61000-3-2: 2009 EN61000-3-2:2006+A1:2009+A2:2009
机构所在地:广东省东莞市 更多相关信息>>
检测项:电压波动及闪烁 检测样品:信息技术设备(EMC) 标准:电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在 公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007; IEC 61000-3-3:2008; EN 61000-3-3:2008;
检测项:电压波动及闪烁 检测样品:声音和电视广播接收机及有关设备(EMC) 标准:电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在 公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007; IEC 61000-3-3:2008; EN 61000-3-3:2008;
检测项:电压波动及闪烁 检测样品:家用电器、电动工具和类似器具(EMC) 标准:电磁兼容 限值 对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在 公用低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制 GB 17625.2-2007; IEC 61000-3-3:2008; EN 61000-3-3:2008;
机构所在地:广东省深圳市 更多相关信息>>
检测项:绕组直流电阻 检测样品:高压开关设备(SF6 断路器、真空断路器、负荷开关-熔断器组合电器、隔离开关) 标准:(1)《电力设备预防性试验规程》DL/T596-1996 (2)《电力设备预防性试验规程》Q/CSG114002-2011 (3)《带电设备红外诊断应用规范》DL/T664-2008 (4)《高压交流断路器》GB1984-2003 (5)《额定电
检测项:电容值、介质损耗角tgδ 检测样品:高压开关设备(SF6 断路器、真空断路器、负荷开关-熔断器组合电器、隔离开关) 标准:(1)《电力设备预防性试验规程》DL/T596-1996 (2)《电力设备预防性试验规程》Q/CSG114002-2011 (3)《带电设备红外诊断应用规范》DL/T664-2008 (4)《高压交流断路器》GB1984-2003 (5)《额定电
检测项:红外测温 检测样品:高压开关设备(SF6 断路器、真空断路器、负荷开关-熔断器组合电器、隔离开关) 标准:(1)《电力设备预防性试验规程》DL/T596-1996 (2)《电力设备预防性试验规程》Q/CSG114002-2011 (3)《带电设备红外诊断应用规范》DL/T664-2008 (4)《高压交流断路器》GB1984-2003 (5)《额定电
检测项:输出低电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出高电平 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
检测项:输出低电流 检测样品:集成电路 标准:半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996 半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10739-1996 半导体集成电路双极型随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T10740-1996 半导体集成电路CM
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>