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检测项：击穿电压 （圆棒法） 检测样品：漆包铜圆线 标准：绕组线试验方法 第5部分：电性能 GB/T 4074.5-2008
检测项：击穿电压 （扭绞法） 检测样品：漆包铜圆线 标准：绕组线试验方法 第5部分：电性能 GB/T 4074.5-2008
检测项：击穿电压 检测样品：漆包铜圆线 标准：漆包圆绕组线 第10部分：155级直焊聚氨酯漆包铜圆线 GB/T 6109.10-2008
机构所在地：广东省珠海市 更多相关信息>>
检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：绝缘液中水含量的测定 卡尔•费休电量滴定法 NB/SH/0207-2010
检测项：击穿电压 检测样品：电力用油 标准：电力系统油质试验方法 绝缘油介电强度测定法 DL/T 429.9-1991
检测项：2-糠醛和有关化合物 检测样品：电力用油 标准：绝缘油击穿电压测定法 GB/T 507-2002
机构所在地：上海市 更多相关信息>>
检测项：3011 集电极-发射极击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》
检测项：3407 漏-源击穿电压 检测样品：电子及电气元件 标准：GJB 360B－2009《电子及电气元件试验方法》
检测项：部分项目 检测样品：印制板用阻焊剂 标准：SJ/T10309- 92《印制板用阻焊剂》
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97
检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：半导体 晶体三极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-97
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：混合集成电路 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：晶体管电特性测试 检测样品：晶体管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997
检测项：吸合电压 检测样品：继电器、接触器 标准：飞机电磁继电器接触器技术条件HB5523-1980
检测项：电压降测定 检测样品：民用直流接触器 标准：牵引电器基本试验方法ZBK63003—1988
机构所在地：贵州省遵义市 更多相关信息>>
检测项：变压器油耐压试验 检测样品：变压器油 标准：GB/T 507-2002 IEC60156:1995 《绝缘油击穿电压测定法》
检测项：电压比测量和联结组标号检定 检测样品：变压器 标准：GB1094.1-1996 IEC60076-1:2011 《电力变压器 第1部分 总则》
机构所在地：河北省保定市 更多相关信息>>
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法4016
检测项：集基极反向击穿电压 检测样品：晶体管 标准：半导体测试方法测试标准 GJB128A-1997 方法3011
检测项：反向击穿电压 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4021.2
检测项：集电极—基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994
检测项：发射极—基极击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994
检测项：漏源击穿电压 检测样品：场效应管 标准：《半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管》GB/T4586-1994
机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>
检测项：栅源击穿电压 检测样品：VDMOS管 标准：半导体器件测试方法 MIL-STD-750F:2012 方法3401.1
检测项：电压调整率和电压稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：输出电压长期稳定性 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：集电极-基极击穿电压 检测样品：半导体集成运算放大器 标准：SJ/T 10738-1996 半导体集成电路 运算(电压)放大器测试方法的基本原理
检测项：击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项：发射极-基极击穿电压 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>
