中国船舶重工集团公司第七二四研究所计量测试中心

检测项：反向电流 检测样品：光电耦合器 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条

检测项：反向电流 检测样品：耦合器 标准：GB/T6571-1995 半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条

检测项：反向电流 检测样品：二极管 标准：GB/T6571-1995　半导体器件分立器件第3部分 信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节1条 第Ⅳ章第1节2条 第Ⅳ章第2节2.1条 第Ⅳ章第2节2.2条

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第七一六研究所机电设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：反向电流 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范

检测项：反向电流 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003《电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范》

检测项：反向电压 检测样品：电阻器 标准：GB/T5729-2003电子设备用固定电阻器 第一部分：总规范

机构所在地：江苏省连云港市 更多相关信息>>

中国船舶重工集团公司第723研究所电工电子设备环境与可靠性试验检测中心

检测项：输入二极管反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》GB/T4587-1994

检测项：反向漏电流 检测样品：电阻器 标准：《电子设备用固定电阻器第一部分:总规范》GB/T5729-2003

检测项：集电极-发射极反向击穿电压 检测样品：光电器件 标准：《半导体器件分立器件和集成电路 第5部分-3 光电子器件测试方法》GB/T15651.3-2003

机构所在地：江苏省扬州市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十研究所天奥校准/检测实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体分立器件试验方法GJB128A-1997方法4011

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.1条

检测项：反向漏电流 检测样品：双极型 晶体管 标准：半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T6571-1995半导体器件Ⅳ章1.1条

机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所质检中心

检测项：反向电流 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：反向电压 检测样品：发光二极管（LED） 标准：SJ/T 11394-2009 《半导体发光二极管测试方法》

检测项：泄漏电流 检测样品：防静电工作区 标准：GJB3007A-2009《防静电工作区技术要求》、SJ/T 10694-2006《电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范》

机构所在地：吉林省长春市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第二十四研究所质检中心

检测项：反向漏电流 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

检测项：反向击穿电压 检测样品：电容 标准：电子设备用固定电容器 第1部分：总规范 GB/T2693-2001

检测项：电流调整率和电流稳定系数 检测样品：半导体集成电路电压调整器 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理　 GB/T4377-1996

机构所在地：重庆市 更多相关信息>>

云南昆船电子设备有限公司蓝海综合实验中心

检测项：反向电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：发射极-基极截止电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管

检测项：输入失调电流 检测样品：TTL电路 标准：SJ/T 10735-1996 半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

机构所在地：云南省昆明市 更多相关信息>>

中国电子科技集团公司第十四研究所检测/试验中心

检测项：反向峰值电流 检测样品：双极型晶体管 标准：GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管

检测项：反向漏过电流 检测样品：开关二极管 标准：GB/T6571-1995第3部分信号（包括开关）和调整二极管

检测项：反向漏过电流 检测样品：稳压二极管 标准：GB/T6571-1995半导体器件分立器件 第3部分信号（包括开关）和调整二极管

机构所在地：江苏省南京市 更多相关信息>>

西安芯派电子科技有限公司测试应用中心

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750E 2006 方法3415.1

检测项：漏极反向电流 检测样品：功率金属氧化物场效应管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法3415.1

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 方法4016.4

机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>

宜昌测试技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一0研究所）环境可靠性及电磁兼容检测实验室

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向漏电流 检测样品：二极管 标准：GB/T4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

检测项：反向截止电流 检测样品：晶振 标准：GJB1648A-2011 晶体振荡器通用规范 GJB2138-94 石英晶体元件总规范 GJB/Z45.1-93 军用压电器件系列型谱 石英晶体元件

机构所在地：湖北省宜昌市 更多相关信息>>