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检测项：消耗电流ID 检测样品：半导体 集成电路TTL电路 标准：半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理SJ/T10735-1996
检测项：输出电压VO 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项：输出高阻态时高电平电流IOZH 检测样品：半导体集成电路CMOS电路 标准：半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T10741-2000
机构所在地：河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项：静态电流ID 检测样品：半导体集成电路 （数字集成电路） 标准：GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇
检测项：漏极电流ID 检测样品：场效应晶体管 标准：1、GB/T 4586-1994 半导体器件第8部分：场效应晶体管 2、GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件
检测项：静态电流ID 检测样品：半导体集成电路（稳压器） 标准：1、GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 2、GB/T 4377-1996 半导体集成电路电压调整器测试方法基本原理
机构所在地：河北省石家庄市 更多相关信息>>
检测项：门极触发电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
检测项：断态电流 检测样品：三端稳压电源（电压调整器） 标准：半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理 GB/T 4377-1996
检测项：漏源通态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分晶闸管 GB/T 15291-1994
机构所在地：四川省成都市 更多相关信息>>
检测项：漏极电流（ID(on)） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
检测项：输出高阻态电流(IOZ) 检测样品：DC/DC变换器 标准：混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-97
检测项：漏源通态电阻（rDS(on)） 检测样品：场效应管 标准：半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T4586-94 半导体分立器件试验方法 GJB128A-97
机构所在地：陕西省西安市 更多相关信息>>
检测项：乙酸 检测样品：工作场所空气 标准：《美国职业安全与健康管理局采样和分析方法汇编》美国职业安全与健康管理局 方法编号ID-186SG
检测项：丙酸 检测样品：工作场所空气 标准：《美国职业安全与健康管理局采样和分析方法汇编》美国职业安全与健康管理局 方法编号ID-186SG
检测项：氨基酸态氮 检测样品：食品 标准：酱油卫生标准的分析方法 GB/T5009.39-2003 4.2
机构所在地：北京市 更多相关信息>>
检测项：业务基本流的stream_id的分配 检测样品：数字电视复用器 标准：(2)GY/T 230-2008《数字电视广播业务信息规范》
检测项：PSI表table_id的分配 检测样品：数字电视复用器 标准：(2)GY/T 230-2008《数字电视广播业务信息规范》
检测项：SI表table_id的分配 检测样品：数字电视复用器 标准：(2)GY/T 230-2008《数字电视广播业务信息规范》
机构所在地：四川省绵阳市 更多相关信息>>
检测项：断态电流 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：断态电压临界上升率 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：断态重复/不重复峰值电压 检测样品：晶闸管 标准：半导体器件 第6部分 晶闸管 GB/T 15291-1994 反向阻断三极晶闸管测试方法 JB/T 7626-1994
检测项：断态电流 检测样品：光耦合器 标准：半导体光耦合器测试方法 SJ 2215.2-1982
检测项：输出高阻态时高电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
检测项：输出高阻态时低电平电流 检测样品：CMOS集成电路 标准：半导体集成电路CMOS电路 测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
机构所在地：重庆市 更多相关信息>>
检测项：IDS 安全策略不可旁路性 检测样品： 标准：
检测项：评估对象ID 检测样品：IC 卡 安 全 标准：
